STM32F103C8T6 VDDA漏电问题

登录 · 发表于 2017-7-17 19:07

用锂电池前端模拟芯片和STM32F103C8T6开发了一个保护板，MCU电源用DC\DC降压3.3V供电，MCU VDDA供电由前端模拟芯片VREF提供基准电压，
现在的问题是单片机休眠的时候 VDDA仍有1MA的电流，这是不是正常功耗？手册当中说是VA级的，这个是硬件问题还是软件设置问题，求指点。

发表于 2017-7-17 22:20

肯定不是正常情况, STM32 停止的休眠下可以降低到 uA 级.

发表于 2017-7-18 14:04

保证是最小系统保证软件设置OK 低功耗不是一个WFI或者HALT就搞定的

发表于 2017-7-19 22:37

这个主要是影响功耗的设计的

发表于 2017-7-19 23:06

这个功耗偏高了，看下是不是这DC/DC给消耗的

发表于 2017-7-19 23:06

对DC/DC的设计特别要注意电感的选取与设计的

发表于 2017-7-21 17:04

休眠下可以降低到 uA 级的

[技术求助] STM32F103C8T6 VDDA漏电问题

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