还是问下：关于双向可控硅的问题

发表于 2011-1-24 10:41

当双向可控硅两端的电压过大时，会不会被击穿？

发表于 2011-1-24 11:03

电压过大肯定会击穿，击穿电流超定一定值就会发生永久性损坏

发表于 2011-1-24 11:07

过大肯定要击穿的啊。

呵呵，这有什么好问的，这就和头上顶个大石头，石头过重会不会压死人一样，：)，肯定会死人的嘛。

发表于 2011-1-24 11:27

如果双向晶闸管被击穿后电路中电流能够限制在晶闸管允许范围内(负载未短路)，则晶闸管不会损坏。
通常说“双向晶闸管不怕击穿”就是这个意思。

发表于 2011-1-24 11:41

同意4楼说法，因为电压超过VDRM/VRRM，可控硅就自行导通了，应该不会损坏的

发表于 2011-1-24 11:50

5楼：用于大功率白炽灯，或可控硅相控整流，或可控硅切换绕组的调压器看看

发表于 2011-1-24 13:15

6楼：
可控硅切换绕组的调压器绝对不允许晶闸管被击穿，因为没有限制电流的措施(负载与晶闸管并非串联)。这种情况，不是晶闸管烧毁，就是变压器烧毁。

发表于 2011-1-24 13:17

是的，我就是举例来反驳5楼所言：因为电压超过VDRM/VRRM，可控硅就自行导通了，应该不会损坏的

是那个烧毁，还得看各自的容量

123jj · 发表于 2011-1-24 17:00

谁烧毁，适用水桶原则。

发表于 2011-1-24 17:30

比如洗衣机上的水阀，都不加RC回路的。估计反压不高吧

发表于 2011-1-24 18:03

说不定加在水阀内部了

发表于 2011-1-25 08:23

春阳老师高见，回答与众不同，学习了。

发表于 2011-1-25 08:42

我也觉得这个问题没什么好问的看PDF资料就清楚了。

你要是问高压为什么会被击穿？以及击穿过程噪音分析如何保护就有得问了

发表于 2011-1-25 08:54

当然有的问了，DATASHEET上标注的是Ubo,Udsm ,Udrm. 因为这些都是在门极没有控制的情况下，电压高于这些值，可控硅会不受门极控制就自行导通。按本人理解，跟二极管一样，不怕电压，只怕电流，才能把它击穿！！！

发表于 2011-2-19 17:28

我的经验是可控硅怕电压而不是电流！电压来至大电感所以
简单的讲可控硅怕大电感设计时特别注意电压！

发表于 2011-2-19 17:28

原理嘛 DI/DT=U