很想知道这个答案,请高手指点

发表于 2011-5-20 10:08

https://bbs.21ic.com/icview-236603-1-1.html
原帖在那里 ,问不到答案
没办法重新开帖誓要弄明白
功率管击穿短路的时候它的导通电阻R(on) 是怎么变化的
变成零还是变大变小?

发表于 2011-5-20 10:13

你不把你的问题完整表达清楚，图中连MOS管及其附属电路都不画出来，MOS管负载和电源电压都不知道，谁也帮不了你的忙，如果有人说是这个原因那个原因，多半也是猜测而不是分析。

发表于 2011-5-20 10:16

这个功率管烧穿和电路有什么关系啊?
驱动上下桥同时导通啊这有什么不明白的.都是常规电路啊
没有maychang大叔想的那么复杂就按常规电路分析就行了

发表于 2011-5-20 18:23

瞬态分析是非常复杂的，楼主不要小看。

发表于 2011-5-21 13:02

那看来是没有明确答案了啊
如果烧断功率管那肯定是变大拉
一般的烧短路应该也是会改变的吧

发表于 2011-5-21 14:11

别轻易用烧断这个词，请尽量使用烧坏这个词语。

半导体原料，烧坏的情况下存在烧断和烧短两种情况。

发表于 2011-5-21 15:08

本帖最后由 mmax 于 2011-5-21 15:10 编辑

凭我的认识，应该是直通居多，即烧穿短路了，Ron变零点欧姆。（其实不能叫Ron了，因为不受on/off影响)

原因就是器件局部过温，局部融化短路烧穿。

T叔刚发了一期关于器件失效分析的资料，LZ好好看看，尤其最后一个《电子元器件失效分析与典型案例》翻了一下，有案例，觉得很不多。

发表于 2011-5-21 15:31

多谢 7楼
能看懂我的心思!
也多谢指点!

很想知道这个答案,请高手指点

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