NEXFET 功率开关管

发表于 2011-6-24 11:50

Nexfet技术是TI在电源管理方面的重要创新成果，其将直角通电法（vertical currentflow）与横向功率MOSFET完美结合在一起。该技术具有符合业界标准要求的封装外形尺寸，不仅能提供很低的导通电阻，而且只需要极低的栅极电荷，对于现有的芯片平台而言，这种组合在以前是不可能实现的。
NEXFET技术无论对于N通道还是P通道的功率MOSFET器件，均能获得较高的性能。设计人员因此从轻载到满载条件下，都能达到90%的电源效率，并具有较高的输出电流和较低的占空比，这在分立式设计中是一项重大突破。

有需要的可以去以下链接下载TI NEXFET 选型手册
http://focus.ti.com/general/docs/lit/getliterature.tsp?baseLiteratureNumber=slit121&fileType=pdf

发表于 2011-6-24 13:55

很实用的手册

发表于 2011-6-24 13:55

谢谢版主分享

发表于 2011-6-25 10:23

Nexfet技术确实很不错

发表于 2011-6-26 15:34

有人给我推这个，我不敢用，等多人用了再说:lol

发表于 2011-6-26 22:33

这个产品还是可以的哈

发表于 2011-6-26 23:08

现在已经有很多公司在用，如果有什么需要，可以跟我联系

发表于 2011-6-27 15:33

应用很广泛嘛

发表于 2011-6-27 20:27

Nexfet技术
版主能具体讲讲嘛

发表于 2011-6-28 15:53

NEXFET是继第一代平面性MOS和第二代沟道行MOS的第三代MOS，其主要的优点是Qg*Rdson是最小的。大家知道，Rdson会决定通态损耗，Qg会影响MOS的开关损耗。通过这个优化，使得我们的NEXFET的总体效率得到提高和优化。

发表于 2011-7-7 13:14

版主真尽责呀

发表于 2011-7-7 13:14

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发表于 2011-7-7 15:28

好**啊

[电源] NEXFET 功率开关管

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