ARM9核心板叠层方案请教

发表于 2011-6-27 16:12

小弟最近接到一个项目，一块ARM9，一块SDRAM,和一块Flash memory,架构的核心板。ARM9采用BGA封装，老板要求用四层板，我想用这样的叠层方式，不知道是否合理，地层-信号/电源-信号/电源-地层，中间两层走信号和电源混合。顶层和底层不走线，进行铺地处理。另外SDRAM的频率是166MHZ。不知大侠们有没有更好的建议。

发表于 2011-6-27 17:28

感觉4层板还是蛮难的，2个平面层不能少，用2个布线层完成BGA的所有引脚扇出还是挺有压力的，可能我水平比较菜:$
另外，我感觉4层的话最好是信号-地-电源-信号，虽然这样不能很好的抑制电磁辐射，但布线相对容易，不用太多考虑相相邻层走线平行问题，而且电源和地也有一定的退偶左右。个人见解

发表于 2011-6-27 20:17

这板子上，在那SDRAM处注意点，如果线过长的话，就做等长处理，拉开线间距（减少串扰）。
你的那叠层方式，如果在TOP放器件的话，那这一所谓的地层也算是废了。
然后你的SDRAM的线要有一个完整的参考平面，你该考虑，这个线走哪一层或二层，能有完整平面参考（回流路径）。
arm双电压，DRAM电压的分布。

你这叠层适合在元件比较少，特殊电磁场环境，还有就是射频。
个人见解，如有不对地方，请明示。:handshake

发表于 2011-6-28 09:55

现在又遇到一个问题:就是SDRAM是数据总线是16位的而Flash的数据总线是8位的，这个在走线的时候该怎么弄呢？是只需要从ARM到SDRAM的16位数据总线等长，再从SDRAM拉8条数据总线到flash；还是从ARM到flash都要等长处理，还请大侠帮忙！

发表于 2011-6-28 10:47

只管SDRAM就好了

发表于 2011-6-28 12:26

建议叠成：顶 gnd power 底顶底可以放器件，power层，电源走线。不用分割铜皮，离电源线距离原点可以走线，否则我估计你走不通的。
至于等长，只考虑SDRAM即可，这个速度也不要要求太严的。

发表于 2011-7-13 13:55

你的sdram数据总线和flash数据线是共用的啊?这事我以前也干过一次,结果sdram只能稳定的能跑64M ,哈哈

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