芯唐的单片机 IO 口内部有没有箝位二极管

发表于 2018-6-11 14:35

芯唐的单片机 IO 口内部有没有箝位二极管？
现在项目里有一个高电压通过电阻进IO口，量出来是5.6V，似乎没问题，但文档里找不到这个说明，用得有点害怕。

发表于 2018-6-11 14:50

看情况，部分有，部分没有，看您用的具体型号。

发表于 2018-6-11 14:52

奔跑的牛发表于 2018-6-11 14:49
看情况，部分有，部分没有，看您用的具体型号。

N76E003，MINI58ZD这两颗芯片有吗？

发表于 2018-6-11 14:54

本帖最后由奔跑的牛于 2018-6-11 14:55 编辑

lz13 发表于 2018-6-11 14:52
N76E003，MINI58ZD这两颗芯片有吗？

这两颗都有

发表于 2018-6-11 15:13

奔跑的牛发表于 2018-6-11 14:54
这两颗都有

谢谢

发表于 2018-6-11 16:41

你看这个芯片是不是宽电压的，一般宽电压的都有。

发表于 2018-6-11 16:54

理论上，标准MOS工艺做的芯片，每个典型MOS输出端口，都会生成对地和对Vcc2个方向的寄生二极管。这个二极管的导通，有些时候是对IO逻辑是有害的，有些时候，还能损坏芯片。
给个例子，先不管该超过的IO口，当更高的输入电压通过IO倒灌到VCC，等于提高了VCC电压，超过芯片设计值，那么芯片就会发生逻辑混乱甚至损坏。

发表于 2018-6-14 19:40

以前都没研究过这个。没想到一个IO还这么深奥。

发表于 2018-6-15 10:45

好像有两个场效应管。

发表于 2018-6-21 23:24

真开漏的没有，准开漏的肯定有

发表于 2018-6-24 00:06

能用，不用怕

发表于 2018-6-28 11:46

看引脚图吧因该有详细说明

[技术问答] 芯唐的单片机 IO 口内部有没有箝位二极管

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