光耦可控硅控制交流电的问题（二次提问）

发表于 2021-3-15 01:23

这个电路是光耦加可控硅控制交流电的开关电路，正常工作时，光耦输入端input输入高电平时，可控硅导通，交流电流经R10，R10会发热，反之光耦输入低电平时，R10无电流流过，不会发热．
实际上在光耦输入端为低电平时，电阻仍会发热，是电路设计错了吗？

做了一些测试，现象如下
1．如果光耦input位置输入高电平，则电阻R10轻微发热，如果input输入低电平，则电阻R10极速发热，和理论正好相反
2．电阻发热时，如果把光耦输出端4和6引脚断开，则电阻不再发热

请教问题可能的原因和解决的思路

这个问题前面提过一次，当时有人提出可能是可控硅1和2脚反了，经测试并不是这个原因，只是原理图显示的问题，现把原理图整理后重新提问

发表于 2021-3-15 07:45

将T点和N点连通，电阻R10就是微微发热，也就是光耦输入高电平时，电阻R10的发热量是正常的，整个电路表现都正常，求光藕输入低电平时，R10急剧发热的原因

登录 · 发表于 2021-3-15 09:14

发表于 2021-3-15 09:52

你测试一下二种状态下流过R10 的电流

登录 · 发表于 2021-3-15 12:32

这个电路我搞过，你参考一下，有2点要注意：
1. 双向可控硅一旦导通，是不能靠G端控制信号关闭的，要靠A1、A2端电压为零（实际接近零，此时电流低于维持导通电流）时，也才会自动关闭，这个MOS管有很大区别；
2. 由于1点的存在，所以双向可控硅的驱动要配合过零检测电路，捕捉交流电0电压的时候再去延时开启，延时的时间长短控制导通的时间长短，进而控制输出功率。

发表于 2021-3-15 12:33

这跟MOS管有很大区别

发表于 2021-3-15 12:40

如果你的负载是大电感、电容这些非阻性负载，还要考虑电压与电流的超前、滞后时间，双向可控硅是A1、A2之间电流为0了它才会关闭，不是A1、A2之间电压，如果是阻性负载，或者容性、感性很小的负载，才可以考虑电压为0，可控硅关闭。
上次他们的回复都没有回复到点子上，我都看出来了，但是你说没问题了，我也就没回复了

发表于 2021-3-15 12:52

kt98741 发表于 2021-3-15 07:45
将T点和N点连通，电阻R10就是微微发热，也就是光耦输入高电平时，电阻R10的发热量是正常的，整个电路表现都 ...

高电平撤销后，双向可控硅并没有关断，我以前研究这个电路的时候也是遇到这个问题，后来才知道，要在过零点才能关断

发表于 2021-3-15 16:19

1.你的INPUT是直接单片机驱动还是使用5V电源驱动？这个MOC3022的资料看了，是要50mA的。直接用单片机IO可能不太够。
2.我用过MOC3043带过零电路的，你可以试一下。
3.我的负载是加载你画的N那端的，规格书也是放在N那端，就是4脚经过电阻那个地方。

发表于 2021-3-15 17:05

这跟MOS管有很大区别undefined

发表于 2021-3-15 18:43

hyshallow 发表于 2021-3-15 16:19
1.你的INPUT是直接单片机驱动还是使用5V电源驱动？这个MOC3022的资料看了，是要50mA的。直接用单片机IO可能 ...

可以直接用单片机端口，我用过

发表于 2021-3-15 18:45

楼主不用纠结了，发热的原因就是没有双向可控硅没有关断，高电平取消双向可控硅并没有可靠关断，要捕捉交流电压零点，过零点的时候才能关断，就这么简单

发表于 2021-3-21 13:04

你这个电路有问题！L,N接的地方不对！

发表于 2021-3-21 22:31

你把 R1电阻去掉试试效果，我就是这么干的。

发表于 2021-3-31 15:38

可控硅要并联一个泄放回路。你可以搜搜网上，有这种电路。之前我用过BT160

发表于 2021-4-2 09:31

SEE SEE

发表于 2021-4-7 08:56

R10发热是有电流流过，检查光耦可控硅是否有软击穿或已经击穿了

发表于 2021-4-9 00:11

感谢上面给的建议，我这后面在T和L点之间，并了一个100K的电阻，则问题解决，可能是可控硅的输出需要有一个维持电流，否则就会工作不稳定

发表于 2021-6-8 10:57

@uyuway 正确！我也是这么用到，很好！搜索

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另外，选用跟小的可控硅也可以，因为可控硅都有维持电流和漏电！
但功率小的漏电相对小些。

光耦可控硅控制交流电的问题（二次提问）

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