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使用ST标准库开发需要修改的地方
1）GD对时序要求严格，配置外设需要先打开时钟，在进行外设配置，否则可能导致外设无法配置成功；ST的可以先配置在开时钟。
2）修改外部晶振起振超时时间，不用外部晶振可跳过这步。
原因：GD与ST的启动时间存在差异，为了让GD MCU更准确复位。
修改：
将宏定义：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)修改为：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)
3）GD32F10X flash取值零等待，而ST需要2个等待周期，因此，一些精确延时或者模拟IIC或SPI的代码可能需要修改。
原因：GD32采用专利技术提高了相同工作频率下的代码执行速度。
修改：如果使用for或while循环做精确定时的，定时会由于代码执行速度加快而使循环的时间变短，因此需要仿真重新计算设计延时。使用Timer定时器无影响。
4）在代码中设置读保护，如果使用外部工具读保护比如JFLASH或脱机烧录器设置，可跳过此步骤。
在写完KEY序列后，需要读该位确认key已生效，修改如下：
总共需要修改如下四个函数：
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
5）GD与ST在flash的Erase和Program时间上有差异，修改如下：
6）需求flash大于256K注意，小于256K可以忽略这项。
与ST不同，GD的flash存在分区的概念，前256K，CPU执行指令零等待，称code区，此范围外称为dataZ区。
两者在擦写操作上没有区别，但在读操作时间上存在较大差别，code区代码取值零等待，data区执行代码有较大延迟，代码执行效率比code区慢一个数量级，因此data区通常不建议运行对实时性要求高的代码。
为解决这个问题，可以使用分散加载的方法，比如把初始化代码，图片代码等放到data区。 | 
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