碳化硅阈值电压漂移的问题怎么解决的？

发表于 2024-10-31 19:00

阈值漂移，本质上是栅极氧化层中的缺陷，捕获了不该属于它的电子，氧化层中电子日积月累，就会造成阈值降低。所以要规避这种现象，芯片设计中要改善氧化层的质量。
M1H就是改善了氧化层的质量，实现了方形门极电压操作曲线，也就是说不管什么开关频率，都可以使用负压下限-10V了。

发表于 2024-11-5 14:34

随着科技的进步，不断有新的材料被开发出来并应用于半导体器件中。这些新材料可能具有更好的稳定性和抗漂移性能，因此研究和应用这些新材料也是解决碳化硅阈值电压漂移问题的一个方向

发表于 2024-11-6 07:38

所以基础材料研究很重要啊

发表于 2024-11-7 09:22

减少碳化硅材料中的缺陷是降低阈值电压漂移的关键

发表于 2024-11-7 13:09

高质量的氧化层可以减少界面陷阱和体陷阱的形成，从而降低阈值电压漂移

发表于 2024-11-7 16:44

外界因素如温度、湿度、电磁干扰等都可能对碳化硅MOSFET的阈值电压产生影响

发表于 2024-11-7 17:58

据我所知，现在愿意报材料系的高考生不多啊。材料其实非常重要、

发表于 2024-11-7 19:01

针对碳化硅MOSFET的阈值电压漂移特点，可以设计专门的驱动电路来抑制其影响

发表于 2024-11-7 20:45

引入中间电平的方式将被控器件关断动态过程与关断稳态后的栅极电压区分开来，以此来达到降低碳化硅MOSFET的阈值电压漂移量的目的

发表于 2024-11-27 13:57

直接设置一个更高的电压就好了，使用门极控制电路去做驱动。

发表于 2024-11-27 14:27

碳化硅阈值电压漂移本质上是栅极氧化层中的缺陷捕获了不该属于它的电子，导致氧化层中电子日积月累，造成阈值降低。因此，改善氧化层的质量是减少阈值电压漂移的关键。通过优化氧化层的制备工艺，可以减少界面陷阱和体陷阱的形成，从而降低阈值电压漂移。

发表于 2024-11-27 14:27

调整门极驱动的负电压

发表于 2024-11-27 14:28

SiC材料本身可能存在一些缺陷，如晶格缺陷、杂质等，这些缺陷可能会导致器件性能的不稳定，从而引起阈值电压的漂移。因此，通过改进材料制备工艺，减少材料中的缺陷，也是解决碳化硅阈值电压漂移问题的重要途径。

发表于 2024-11-28 16:31

栅极氧化层是MOSFET中非常重要的一层，其作用是隔离栅极和沟道。栅极氧化层中的缺陷，特别是氧化层中的“陷阱”，会导致电子或空穴的捕获。

发表于 2024-11-28 16:31

长时间的正偏压或负偏压会导致氧化层陷阱中的电荷积累，产生阈值漂移，尤其在较高的温度或高电压下，这一效应更为显著。

发表于 2024-11-30 22:30

英飞凌的片子，不至于这样，还是用法

发表于 2024-11-30 22:30

磨砂发表于 2024-11-7 13:09
高质量的氧化层可以减少界面陷阱和体陷阱的形成，从而降低阈值电压漂移
...

英飞凌的很高质量

发表于 2024-11-30 22:31

晓伍发表于 2024-11-7 16:44
外界因素如温度、湿度、电磁干扰等都可能对碳化硅MOSFET的阈值电压产生影响
...

用法存在问题

发表于 2024-11-30 22:32

suncat0504 发表于 2024-11-7 17:58
据我所知，现在愿意报材料系的高考生不多啊。材料其实非常重要、

英飞凌不存在这种问题

发表于 2024-11-30 22:32

powerantone 发表于 2024-12-2 14:27
调整门极驱动的负电压

电路问题

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