在线等待，高手帮忙分析计算

发表于 2012-12-30 17:00

楼主如果方便的话可以把你的设计要求说说清楚;电路部分就很容易了;

发表于 2012-12-30 17:22

是啊，同意楼上

发表于 2012-12-30 18:14

这个可以用软件仿真吧

发表于 2012-12-30 19:11

就你的问题，CE之间只可以导通的，因为M7反向还是有漏电，最好D2放在GA和S8050之间。或者D2上并联一个电阻。R1适当增大到30K比较合适。

发表于 2012-12-30 20:40

fzy_666 发表于 2012-12-30 10:32
为什么？有二极管隔离的，并没有并联

我看错了.不知那几个相互隔离的地之间的电压差是固定的还是完全浮动的.如果是完全浮动的话分析起来恐怕不容易.

发表于 2012-12-31 08:20

看了此图我混乱了。

发表于 2012-12-31 09:07

楼主可以测一下D1正极和GND之间的电压

发表于 2012-12-31 09:19

MOS管放在正端还可以理解，放在负端理解不通。

发表于 2013-1-4 12:18

本帖最后由 huoyu2779 于 2013-1-4 12:21 编辑

Va到G大约5V-6V吧(4V+几个二极管的压降)上下,电路可用,但R2最好小一点,5K就够了.

fzy_666 · 发表于 2013-1-4 12:24

此电路可以看成二个负电源相连,把相连的点做为GND,左边的8V地当做-8V,右边的12V地当做-12V,这样分析起来就清晰了.

发表于 2013-1-6 11:12

还是用个光耦了，不省了，麻烦得要命

发表于 2013-1-6 11:12

谢谢各位

发表于 2013-1-6 17:28

明月小厨发表于 2012-12-30 16:45
说的是啊;很简单的问题搞这么复杂;

同感