请大家帮忙分析一个电路

登录 · 发表于 2014-7-30 17:17

这个电路是另一个工程师设计的，我觉得会有些问题，单也不是很确定，想请大家讨论一下。控制信号F-PowerC是STM8的一个IO口输出，另有两个IO口控制电机正反转(全桥驱动方式)。一块PCB板上有六路电机驱动，每路又有这么一个单独控制电源的电路和全桥驱动，一台机器上有6块PCB板，总共控制36个电机。问题是放在机器上，机器断电后上电会偶尔有1-2个电机会动作。软件初始化IO配置为F-PowerC为低，全桥驱动为反转状态。现在猜想是上电到IO受控之前(MCU稳定工作前)电机被驱动了，首先，我认为R174的电阻取100K太大，这样三极管电流在50uA左右就饱和了，在30-40uA情况下P-MOS就会被驱动，就算按100倍放大倍数，三极管基极电流只要几百nA就能驱动P-MOS，会不会在静电、干扰，甚至静态电流下P-MOS就能导通呢？

发表于 2014-7-30 17:20

还没写完就发送了，STM8单片机的IO口默认为floadt input，即F-PowerC在上电到IO受控期间是悬空的，是否有可能因为我上面说的某些原因或元器件的某些差异性让P-MOS导通从而电机有动作，谢谢

发表于 2014-7-30 17:33

C31要并联个1k电阻，这样不怕F-PowerC悬空。
另外，R124可以改成20k左右，基本不影响驱动，同时提高抗干扰能力。

发表于 2014-7-30 17:33

R125(2k)无必要，可以去掉(短路)。
R124可以用得稍小些，例如47k或22k。
R127太小，费电。可以大到上百k，至少应该比R124大若干倍，例如10倍。

发表于 2014-7-30 18:01

非常谢谢两位大佬指教，我一般设计R125是根据供电大小来分压的，像这种5V供电确实可以短路或者在P-MOS基极与三极管C极之间串个合适的小电阻，以保证Vgs在正常范围内

发表于 2014-7-30 21:36

赞同3楼的意见。

发表于 2014-7-31 09:09

结贴了，有了你们的指导，我觉得有些底，因为PCB板已经做好，最简单的改动就是减小R124，和增大基极驱动电阻，再次感谢！

发表于 2014-7-31 11:12

三极管基极放电容可以保护三极管使其减小瞬间高破坏；如果再并电阻的话可以保证无信号时的误动作

发表于 2014-8-3 10:07

发表于 2014-8-12 16:30

问题提的好，解答的也好！

发表于 2014-8-14 09:40

发表于 2014-8-14 20:04

看实际需求。
这些电阻从几百欧到兆欧都可试试。

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