帮忙看看这段汇编有没有问题
2014-9-30 19:39
- ST MCU
- 22
- 3097
如果有中断源，软件延时很难准确。
bne指令在RAM中运行三个周期没问题。在Flash中运行恐怕不是三个周期，应 ...
两个IGBT管子并联，容易烧，怎么办？
2020-1-8 18:38
- 模拟技术论坛
- 54
- 13666
毛病不少，这个图不贴出来很难发现。
栅极和发射极之间开路，一旦脉冲宽度控制有误差栅极很容易就击穿了。 ...
用ARM做伺服控制，可行吗？有先例吗？
2018-2-6 17:50
- ARM技术论坛
- 20
- 5573
未必。你考虑的应该是否能满足而不是浪费。因为ARM芯片有许多功能端口是复用的，一不小心你就会发现原来 ...
哪种方案靠谱哦？
2014-8-19 16:44
- 电子技术交流论坛
- 86
- 10787
你的同事没错。你的方案或许能用，但相对于最高每分钟20转的转速，采样速度才不过1.25Hz。用于控制频率显然 ...
LPC1768定时器的定时精度问题讨论
2014-7-15 10:07
- ARM技术论坛
- 5
- 3767
0.1uS别想，连中断出入栈的时间都不够 .如果在FLASH中运行，0.4uS也别想。如果在SRAM中运行，只用R0-R3、 ...
急急急！！！请教大家一个关于建立ARM工程的问题
2014-4-17 11:09
- ARM技术论坛
- 5
- 1466
这个头文件是源文件，ADS中用和MDK中用没区别。COPY到现在的工程文件夹中然后添加到工程里去 ...
去NXP的资源文件里找。如果你用过，你的机子里就会有。找到这个文件然后添加到你的工程里。需要修改的话， ...
RCD吸收电路的二极管使用了1N4007二极管，有什么结果？
2014-4-17 00:07
- 电源技术
- 7
- 5283
如果用的1N4007，不用看你描述，炸管子是早晚的事。
用三极管控制P沟道MOS管，但是MOS管关不断是什么原因？
2014-4-18 19:26
- 电子技术交流论坛
- 50
- 9617
下冲是栅漏电容放电过程。上冲依然是分布电感的影响。理论上这个过程依然不可避免。
具体你这个应用，显 ...
导通与截止看反了，等我看看再答复你
由于分布电感的影响，这个反冲过程难以避免。不过你这个反冲过大了，这应该是R3取值太小使栅极dv/dt过大 ...
高频应用，栅源结电容是一个不容忽视的问题。无源驱动的情况下，降低栅源电阻可以有效的加速电荷释放速度， ...
一条ARM指令的问题
2014-4-17 09:19
- ARM技术论坛
- 10
- 2647
ARM指令集里有一条MVN指令。
编译器编译的时候会用 MVN R1,#0X1来替代
在线紧急求助高手判断逻辑问题
2014-4-11 14:42
- 侃单片机论坛
- 13
- 2337
数据做一下预处理，把变量做成二值化的位变量，组合后调用函数数组。
P-MOS关不断
2014-3-10 17:34
- 电源技术
- 7
- 1917
100k电阻太大了，要不降低频率，要不减小电阻
光耦驱动继电器总烧光耦
2017-6-19 19:01
- 模拟技术论坛
- 110
- 30516
开关功率器件的选择和应用，除了反压、峰值电流、最大功率外还有一个重要因素：SOA。对光耦来说，上升和下 ...
3842反激输出二极管发热严重
2014-3-19 11:24
- 电源技术
- 29
- 5130
如果通过调节气隙来调整电感量，输入电感增加输出电感也会随之增加。如果没有校核，低压满负载的条件下可能 ...
满载这么小的占空比，冲击电流过大，开关损耗可能加大许多。
人家原设计电感量大不是没有道理的，人家的电 ...
我用iCL7650做一个恒流源，但恒流源波动很大。急求解释。。
2014-1-8 10:59
- 电源技术
- 42
- 9479
ICL7650多用于微信号放大应用。其带宽低，输出负载能力差，由于后者原因不适合做MOSFET驱动。
采样电阻两端 ...
LPC1768DATASHEET
2013-12-17 11:41
- ARM技术论坛
- 10
- 1947
两个芯片根本不是同一类型的东西。2812属DSP,1768则是ARM授权的CORTEX-M3芯片。
各个公司的手册风格也不一 ...
2
3
近期访客