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[电子元器件]

为什么使晶体管的频率特性拓展至极大，需要将发射极电...

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kafenwong|  楼主 | 2020-10-31 11:18 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
晶体, 晶体管, 频率特性, 发射极
就是画线的第一句 我不太懂 那位大神能不能解答一下

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沙发
jz0095| | 2020-10-31 12:39 | 只看该作者
本帖最后由 jz0095 于 2020-11-5 05:36 编辑

我回答一下划线部分的问题。

1. 在正常偏置下，器件的增益随电流的增大而提高，但是也要适可而止。电流大到一定程度后，增益的增加就不明显了。电流加大会导致器件发热，发热过高会导致电路不稳定，或者器件过热被烧毁。因此，器件的安全性不允许偏置电流过大。

2. 使用小电容不是因为容抗更低，相反，容抗与容量是反比关系。大、小容量电容使用的会是不同的介质，小电容的介质损耗低，Q值高。因此，在容抗适合的情况下选用小电容为好。
   既使是相同材料的电容，容量大的谐振频率（串联谐振频率）低，高于谐振频率，电容电抗将成为感性。

一个现象：在电源旁路电容的安排上，常见大小容量电容并联使用。
思考题：1.什么原理？ 2. 如果只能放在电源端同侧，大小电容在电路上的位置应该怎样安放，即哪个需要靠近电源端？

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板凳
xukun977| | 2020-10-31 13:13 | 只看该作者
本帖最后由 xukun977 于 2020-10-31 13:16 编辑

















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地板
H572| | 2020-11-10 11:17 | 只看该作者
电流大，可以快速把结电容充满电。

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