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HWM 发表于 2016-3-16 08:43 这看似非常“炫”,其实仔细分析三极管的模型就可以得出此结论。 器件模型是模拟电路的三要素之一!
zyj9490 发表于 2016-3-16 12:05 这个还是要从物理机理谈起吧,光是一个电子电路模型还不行。
zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 15:58 为什么不行,话不能说一半,您能不能谈谈物理机理?
zyj9490 发表于 2016-3-16 16:20 实用模拟电路设计这本书三极管的物理机理可以看下。
zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 16:28 您就不能简明扼要说一下为什么不行?对于这样的个“简单”问题,草草地给出一本书的名称就完事了,这很耽 ...
zyj9490 发表于 2016-3-16 17:19 发射结电流是扩散电流,跟浓度梯度有关,集电极电流是电埸力迁移产生的电流,这二个产生电荷移动的机制不 ...
zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 18:33 明白您的意思了。但其实现在并不是讨论的这个物理机制,是讨论测量输出特性在uce=o的ic问题,此时的集电极 ...
zyj9490 发表于 2016-3-16 18:47 二个PN结因半导体的工艺杂质浓度,体积等不同,同样的电压下,产生的扩散电流是不同的,IB=IC+IE,IC与VBC ...
zhengzhoubai 发表于 2016-3-16 19:03 明白您的意思, 但其实给出了,否则就不会有饱和区了。只是特性曲线忽略了IC为扩散电流部分,因为很少会 ...
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