【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列三十二——FSMC实验

NAND和Flash的容量取决于单片机的型号，频率也要看单片机的规格书。

FPGA与FSMC通信速度由FPGA处理速度、FSMC接口速率、外部存储器响应时间决定。

FSMC应该是目前外设线束最多的了。

持外部存储器类型​​
​​SRAM​​：静态随机存储器，无需刷新，速度快。
​​NOR Flash​​：可直接执行代码（XIP，就地执行）。
​​PSRAM​​（Pseudo-SRAM）：伪静态RAM，兼具动态SRAM的速度和静态RAM的易用性。
​​NAND Flash​​（部分型号支持）：需额外控制器配合。

需连接外部存储器的地址线（A0~A18）、数据线（D0~D15）、控制信号（NOE、NWE、NE1/CS）。

高速信号（如FSMC_CLK）需缩短走线长度，避免过孔过多。

GD32F4 系列微控制器的 FSMC（Flexible Static Memory Controller，灵活静态存储控制器）是一个重要的外设，用于连接外部静态存储器，如 SRAM、NOR Flash、NAND Flash 等。以下为你详细介绍其功能、使用方法及注意事项。

FSMC 有多个存储区域可供选择，需要正确配置地址映射，确保外部存储器的地址范围与 FSMC 的存储区域相对应。

FSMC是一种新型的存储器扩展技术，可以根据系统的应用需要，方便地进行不同类型大容量静态存储器的扩展。

将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块，每个存储块都有独立的片选控制信号，并且可独立配置。

为外部存储器提供稳定的电源，并确保有适当的去耦电容，以减少电源噪声。

FSMC 需要使用多个 GPIO 引脚来连接外部存储器，因此需要对这些引脚进行配置。通常将这些引脚配置为复用功能模式。

合理配置 FSMC 的时钟频率，避免过高的时钟频率导致功耗增加或信号完整性问题。

FSMC能够根据不同的外部存储器类型，发出相应的数据/地址/控制信号类型以匹配信号的速度，从而使微控制器能够应用各种不同类型、不同速度的外部静态存储器。

在使用FSMC时，需注意时序参数配置、地址映射、数据总线宽度、电源和信号完整性、中断和DMA支持以及兼容性和测试等方面的注意事项

不同类型的外部存储器有不同的时序要求，需要根据实际情况准确配置 FSMC 的时序寄存器。如果时序不匹配，可能会导致数据读写错误。

根据系统需求，合理规划FSMC的地址映射，避免地址冲突。

如果需要，配置FSMC的中断和DMA功能，以实现高效的数据传输。

设置地址信号有效到数据稳定的延迟时间，需根据外部存储器的时序要求调整。

用于连接和管理外部存储器的接口模块，支持多种类型的静态存储器设备，如SRAM、NOR Flash、NAND Flash和PSRAM等。