求助：MOS管击穿原因

频率430HZ左右正常，但频率上到550HZ左右就开始击穿MOS管，求解。

LZ，可否测试一下是GS还是GD击穿？

Q2是什么型号？
必要时可以增加二极管和保护电阻

挂栅极驱动波形就知道了

转换功耗太高，边沿不陡，加个驱动电路吧。

Q2需要推挽型的驱动，你这种驱动不对称，打开速度快，关闭就太慢了，以至于在一段时间内，Q2的功耗太大烧毁。建议用专门的驱动的电路

zhaoyu2005 发表于 2014-4-13 22:45
Q2需要推挽型的驱动，你这种驱动不对称，打开速度快，关闭就太慢了，以至于在一段时间内，Q2的功耗太大烧毁 ...

再议

N型的MOS这样用，当然容易挂啦。MOS管跟负载换个位置，前级加个图腾柱吧。

Q2是IRF640，图发错了，是下面这个。https://bbs.21ic.com/forum.php?mod=attachment&aid=MjczMDU2fDY5YzIwYTEwfDE3NTYyMDQwMTR8MHw%3D，一会发个栅极波形，谢谢各位

栅极波形

我这个应用单次通电时间不会超过3分钟，不是过热的，测试的时候是通1S，断3S，430HZ左右，10万次都没问题，上500HZ，就经常坏MOS管了。

dirtwillfly 发表于 2014-4-13 13:56
Q2是什么型号？
必要时可以增加二极管和保护电阻

Q2是IRF640，

我们测试的时候是通电1秒，然后断电3秒，这样持续测试导通次数。430HZ左右的板目前已经接近10W次，没问题，540HZ左右的测试过程中整体温度维持在60度左右，坏的时候MOS管损坏比较严重，三个引脚都已经掉了。不知道增加一个栅极电阻有没有改善

leeo_js 发表于 2014-4-14 10:18
栅极波形

请把时间调至25US档,然后看上升时间,下降时间

栅极电压变化时，GS的电压也变化，有可能导致导通未截止时还在导通，过着截止占空比过高，导致被击穿，还是和实际电路有关，你把后级电路加上去就容易分析了

yanyanyan168 发表于 2014-4-14 11:54
请把时间调至25US档,然后看上升时间,下降时间

频率比较低，只能看到这个了。

wyh000aini 发表于 2014-4-14 12:00
栅极电压变化时，GS的电压也变化，有可能导致导通未截止时还在导通，过着截止占空比过高，导致被击穿，还是 ...

负载RL就是个线圈，没有其它电路了。MOS栅极有个10.2V稳压管。

如果MOS管一直处于导通状态，线圈相当于导线，MOS管会被烧

原来如此，LZ三张图都不一样，最后17L再爆出来负载是个线圈......
  估计LZ不清楚线圈PWM驱动需要续流管保护
  再看基本的东东：
               IRF640在常温10V驱动，导通电阻不大于150毫欧，负载直流电阻2.4欧，则回路稳定时电流约4.7A，MOSFET功耗约3.3W，平时温度有60度，应该是加有散热片等措施，则导通电阻增加30%，实际MOSFET功耗约3.8W，不会是热击穿。
重点考虑反压击穿，反压击穿主要的破坏是薄弱点被高压击穿，导致局部过热。430Hz驱动时热量被及时散发，所以没有产生损害。当550Hz后，局部过热没能及时散发，最终半导体局部温升积累，局部半导体融熔，发生损坏。

leeo_js 发表于 2014-4-14 12:20
负载RL就是个线圈，没有其它电路了。MOS栅极有个10.2V稳压管。

稳压管没有必要。

①试着在Q2的栅极和地之间接一个51K电阻。
②在线圈两端并上一个续流二极管。
③三极管的集电极和MOS管的栅极串接一个10R电阻。
然后再看看效果