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[电子元器件]

请教PMOS的关断时间

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Hardsofter|  楼主 | 2015-9-12 18:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 信号, MOS管, 信号传输, 总线
设计中遇到一个问题，用PMOS做2.4K的信号传输，测试发现信号的上升沿很漂亮，但是下降沿拖的很长，请教一下有什么办法可以减小关断时间？

说明： 这是一个二总线的设计，即传输信号有传输功率。功率太小的MOS管不适合。

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沙发
Lgz2006| | 2015-9-12 18:41 | 只看该作者
模拟放大常用的P—N互补推挽电路可以解决，不知你产品业界惯用否

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板凳
maychang| | 2015-9-12 18:56 | 只看该作者
这不是P沟MOS管关断时间问题，是你的MOS管漏极电阻驱动能力远不如MOS管的问题。
要想下降沿也很漂亮，把P沟MOS管漏极负载电阻换成N沟MOS，构成如2楼所说的互补电路。

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地板
lyjian| | 2015-9-12 19:51 | 只看该作者
2.4K也要纠结？

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5楼
huayuliang| | 2015-9-12 19:51 | 只看该作者
两线制的总线如果使用P-N推挽的方式，电路结构就得改了。。

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6楼
Hardsofter|  楼主 | 2015-9-12 20:44 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2015-9-12 18:41
模拟放大常用的P—N互补推挽电路可以解决，不知你产品业界惯用否

还请大侠赐教。
我们是用在消防上的，之前一直使用485，但是接错线的问题一直无法解决。

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7楼
Hardsofter|  楼主 | 2015-9-12 20:49 | 只看该作者
huayuliang 发表于 2015-9-12 19:51
两线制的总线如果使用P-N推挽的方式，电路结构就得改了。。

我们是希望电平在24V和12V之间变化。 RX为1时24V，RX为0时12V。

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8楼
huayuliang| | 2015-9-12 20:51 | 只看该作者
本帖最后由 huayuliang 于 2015-9-12 20:52 编辑
Hardsofter 发表于 2015-9-12 20:49
我们是希望电平在24V和12V之间变化。 RX为1时24V，RX为0时12V。

没有特殊要求的话，TX 也是如此吧？‘
这样一来，电路上要有个 12V 的稳压。

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9楼
Hardsofter|  楼主 | 2015-9-12 21:03 | 只看该作者
刚才说反了。
二总线主机端的发送TX发送1时时24V，0时时12V。没有数据时保持在24V
从机返回的是电流信号。会将24V下拉。主机检测这个下拉来接收信号。

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10楼
maychang| | 2015-9-12 22:47 | 只看该作者
Hardsofter 发表于 2015-9-12 21:03
刚才说反了。
二总线主机端的发送TX发送1时时24V，0时时12V。没有数据时保持在24V
从机返回的是电流信号。 ...

这个设计有些怪异。
既然“从机返回的是电流信号。会将24V下拉”，为什么采用P沟MOS来使输出上拉到24V？应该采用N沟才对。

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11楼
Lgz2006| | 2015-9-12 22:50 | 只看该作者
开发产品应努力标准化水平，会省去许多麻烦

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12楼
lyfly_away| | 2015-9-12 23:56 | 只看该作者
图腾柱驱动

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13楼
robter| | 2015-9-13 00:13 | 只看该作者
这个很好，学习了

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14楼
宋业科| | 2015-9-13 07:05 | 只看该作者
感觉说的跟要求不一样。

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15楼
宋业科| | 2015-9-13 07:05 | 只看该作者
感觉说的跟要求不一样。

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16楼
zyj9490| | 2015-9-13 13:29 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2015-9-14 15:34 编辑

你是做成OD门吧,跟普通正相反,别人用的是NMOS,下降沿很好,上升沿慢,唯一方法,降低你的下拉电阻即可,能量消大的,但是下降速率会加快.就是个RC问题.发上升沿的时,PMOS开通的,S与D相通,(RDON小)VCC与线连结,RC很小,上升沿陡,下降沿时,MOS管关的,C与下拉电阻RD进行电荷放掉,RC就大,除非用PP结构,但是你是想要二线制,总线信号要实现线与的硬件功能,只能用OD架构(或许更好的架构).以上说了原因,和改进方式.

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17楼
zyj9490| | 2015-9-13 13:37 | 只看该作者
还有一种方式PP输出方式加一个控制使能脚,使能是输出是PP,不使能是高阻也是一个好方法.增加一路控制信号,因为发送信号是主动的,何时发送是知道的.

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18楼
oldzhang| | 2015-9-14 10:47 | 只看该作者
本帖最后由 oldzhang 于 2015-9-14 22:21 编辑

MOSFET输入等效于电容，电容的充放电使得MOSFET导通和截止，电容充放电越快，通断越迅速
导通速度快，证明你的MOSFET栅极充电速度快；
断开速度慢，证明你的MOSFET栅极放电速度慢。
解决的方法就是从加快MOSFET的栅极放电速度考虑。


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19楼
YYWYY| | 2015-9-14 15:18 | 只看该作者
oldzhang 发表于 2015-9-14 10:47
MOSFET输入等效于电容，电容的充放电使得MOSFET导通和截止，电容充放电越快，通断越迅速
导通速度快，证明 ...

废话

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