嘿嘿，“圈点**”可不是俺说的

发表于 2008-3-15 14:55

实在是抱歉，俺发现46楼的照片是错误的，示波器在AC耦合上，不好意思啊。 现在俺将示波器置于DC耦合上，发现电源电流是个脉动直流，波形如图所示，峰值大约在220mV,周期大约为13uS，负载为空载。

发表于 2008-3-15 15:06

害我整个中午把图看了好几遍，排除了电源回路上出现么向电流的种种可能性. 你Y赔我午觉

发表于 2008-3-15 15:14

发表于 2008-3-15 21:18

发表于 2008-3-16 05:35

简单的还可以（线性电路），复杂的就不行了

发表于 2008-3-16 13:52

发表于 2008-3-16 14:20

发表于 2008-3-17 13:00

努力学习中

发表于 2008-3-17 18:30

电流，电压定律，名字基尔霍夫第一，第二定律

发表于 2008-3-17 22:05

想不到maychang,awey在这个小电路上也老马失蹄 瑾以此贴劝告电子初哥们，千万别轻信仿真这玩意儿。 看到许多论文，其中不乏“仿真结果为...”,立马删除之...

发表于 2008-3-18 01:21

发表于 2008-3-18 02:53

希望对读者理解晶体管的开关特性有所帮助（俺也是读者） 共同学习，共同进步！ 晶体管的动态开关特性 开关电路中晶体管由截止转为饱和或者反过来由饱和转换为截止，如同PN结二极管一样，存在内部电荷建立和消散的过程，因而这种转换也需要一定的时间，并且是限制开关速度的内在原因 当集电极电流ic不随基极电流ib的增加而成比例的增加时，称此时的集电极电流达到饱和，用Ics表示，此时的基极电流为临界饱和电流，用Ibs表示。进一步增大基极电流，饱和程度将加深，而集电极电流基本保持不变，这时集电极与发射极之间电压称为“三极管的饱和压降”用VCE（sat）表示。 在理想的双极性脉冲的激励下（幅度足够大，在某时由+V跃变至-V，足以使管子进入饱和区和截止区）。集电极电流已不再是理想的方波，起始及平顶部分都向后延迟了一段时间，上升沿和下降沿都变长了。为了对开关过程做定量的描述，引入以下几个参数： 延迟时间td：由激励电压（+V）加入到ic上升到0.1Ics所经历的时间； 上升时间（上沿时间）tr：集电极电流（ic）由0.1Ics（Ics为集电极饱和电流）上升到0.9Ics所经历的时间。 存储时间ts：由激励电压-V加入到ic（集电极电流）下降到0.9Ics所经过的时间； 下降时间（下沿时间）tf：集电极电流由0.9Ics下降到0.1Ics所需要的时间。 通常把td（延迟时间）+tr（上升时间）=ton，称为开启时间； 通常把ts（存储时间）+tf（下降时间）=toff，称为关闭时间。 晶体管开启时间及关闭时间的产生原因以及缩短它们的办法： 延迟时间td： 在输入信号为-V时，晶体管截止，发射结为反向偏置，结的势垒区较宽，空间势垒区的电荷也较多。当输入电压由-V跃升到+V时，随即出现基极电流ib=V1/Rb，但此时并不能产生集电极电流ic，这是因为基极电流首先要抵消势垒区中的空间电荷，使势垒区变窄，只有当反射结由反偏转入正偏，发射结电压上升到+0.5V左右时，发射区的电子才逐渐注入基区，并扩散到集电结而被集电极所搜集，形成集电极电流ic，ic逐渐由小变大。 上升时间tr： 经过延迟时间td后，发射区不断向基区注入电子，建立并逐步扩大基区的电子浓度梯度，随着浓度梯度的增大，ic逐步加大，并达到0.9Ics。显然，+V越大正向基极流也越大，基区积累电荷的速度越快，tr（上升时间）就越短。ib越大，则饱和深度Ns越大。用QBS表示饱和后在基区多余的存储电子电荷（浓度由发射结到集电结呈下降趋势）。不难想象，Ns（饱和深度）越大，QBS也越大。 存储时间ts： 经过上升时间后，集电极电流达到Ics（饱和），并在基区中存储了大量的多余电荷QBS。 当输入信号由+V越降为-V时，由于基区中存储了过量的电子QBS，这些电子不能立即消散，因而开始ic仍然维持为Ics（集电极饱和电流）不变，只有QBS逐渐消失，ic才逐渐下降。显然，晶体管饱和越深（Ns越大），在基区存储的电荷（QBS）也就越多，存储时间（ts）也就越长。 存储的电荷（QBS）是靠反向基极电流消散的，当输入-V后，在反向电压作用下，电子漂移，形成反向基极电流，从基区中把存储电荷吸走。显然，反向驱动越强，ts越短。ts（存储时间）的大小还和晶体管的结构及制造工艺有关，基区做的薄一些，在同样的浓度梯度下，存储的电子就少一些，消散它所用的时间就少些，ts也就短一些。在制造时掺金，形成复合中心，可以加速存储电荷的复合过程，也能降低ts。 下降时间tf： QBS消散后，剩下的电荷继续消散，电子的浓度梯度下降，电流ic亦下降，逐渐减小到0而截止。                      参考书目：《脉冲与数字电路》主编：陈传虞

发表于 2008-3-18 03:10

好像记得那位伟人说过：“离开实践，认识就成为不可能”

发表于 2008-3-18 06:17

本人发帖完全出于学习交流之目的，没有其他任何企图； 本人所作试验并不代表其具有正确性（由于水平有限及其他客观因素制约），因此仅供参考； 如果对大家有所帮助，鄙人将甚感荣幸。 谢谢大家！                       wb61850

发表于 2008-3-18 06:51

考虑便于长时间观测，电池改用了1.25V的充电电池。 在电源端对地加了一个100uF的电解电容器。结果发现电源脉动明显减小，平均供电电流在130mA左右。 并且输出频率亦发生了改变（用频率计实测），由78.4KHz（不加滤波电容时）变化到82.6KHz（加滤波电容后）。 频率计的输入电容为1000PF，输入阻抗为1M 欧。 用1欧姆的取样电阻测量了2N5551（NPN管）的基极电流其波形如下： 该电流的上冲到60mA左右,下冲到-50mA左右。 示波器为DC耦合， Y轴：20mV/DIV   X轴：5uS/DIV

发表于 2008-3-18 07:00

其波形是一个锯齿状的脉动直流，峰值约140mA

发表于 2008-3-18 07:06

Q1基极对地接100K电阻，Q2基极串1K电阻，测Q2集电极是否29楼波形

发表于 2008-3-18 07:10

其基本上是一个脉动电压。Vec的正峰值大约在10V左右，负峰值大约在0.3V左右。

发表于 2008-3-18 07:17

晚些俺在做，俺又是个不眠之夜，嘿嘿

发表于 2008-3-18 07:38

嘿嘿，“圈点**”可不是俺说的

回PowerAnts大虾

这坏小子

回LS：嘿嘿，俺昨晚搞了一晚，有点搞糊涂了

我仿真了一下,周期大概是6.47uS

嘿嘿，仿真的结果未必可靠

关键是实际电路的器件离散性和分布特性与仿真不同。

LS说的很好

讲解下原理图好不，学习学习

电路原理的两大定律

10年前俺在EWB上栽了个跟头后弃之不用

高帖！

俺的基础还是不扎实

电子学是门实验科学——真的如此

楼主声明：

昨晚俺又加测了几个点

电感支路的电流

请帮忙验证

2N5401（PNP管）的发射极-集电极电压

回PowerAnts大侠

70楼的观点似乎片面了点。

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