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声明：由于本人的水平有限，错误之处难免，欢迎批评，欢迎指正！ <br />如103楼所示之电路<br />工作过程分析：<br />就输出信号的波形来看，电路的工作过程可以分为以下几个阶段。<br />脉冲上沿阶段：<br />电路接通以后，Q1、Q2均导通，ic2的变化在L中产生感应电动势eL，其瞬时极性为上+下-，Q2集电极电位的变化通过电容C1的耦合使ib1进一步增大，从而导致ic1（ib2）的进一步增大,从而导致ic2的进一步增大，使Vc2进一步上升，该变化又通过C1的耦合，导致更大的ib1…..，如此循环形成一个正反馈过程（该过程是非常迅速的），结果以Q2进入饱和状态而结束。由于该过程进展很快（正反馈过程），Vc2迅速上升，出现了陡峭的脉冲上沿。<br />上平顶阶段：<br />Q2饱和后，Vc2电压不变，电路进入上平顶阶段，在这段时间内，感应电动势eL对C1充电，随着电容电压的增大，Vb1开始下降，Ib1也下降，Ic1（Ib2）也随之下降，但对于Q2来说，仍维持Ib2大于Ic2/B2（B2为Q2的电流放大系数），Q2仍然处于饱和状态，Vc2基本不变。与此同时，通过电感支路的电流IL1开始由零线性增大（近似），IL1的增大使Ic2增大。由此可见，在输出信号的上平顶阶段，Ib2（Ic1）是下降的，而Ic2是增大的，最终必将导致Q2退出饱和区（进入放大区），当Ib2（Ic1）小于Ic2/B2时，Q2进入放大区，而上平顶阶段亦随之结束。<br />脉冲下沿阶段：<br />由于Q2进入放大区，因此基极电流Ib2的减小，将引起集电极电流Ic2的下降，该变化在L1中产生的感应电势将使Q2的集电极电位下降，即导致Vc2的下降，该变化通过C1的耦合使Vb1下降（电容两端的电压不能跃变），使Ib1下降，Ic1（Ib2）下降，使Ic2进一步下降，使Vc2进一步下降，通过电容C1耦合使Vb1进一步下降…..。由此又形成了一个连锁的正反馈过程，结果使Q2迅速截止。<br />下平顶阶段：<br />Q2的快速截止，使电感两端激发很高的反冲电压（对地为负），该电压通过C1的耦合使Q1的发射结击穿，因此下平顶被限制在-8.5V左右（经实测也是该值）。在该阶段电感L1中储存的磁能将通过R2及击穿的Q1的发射结释放（由于通过的击穿电流没有超过极限值，因此不会造成Q1的损坏）。<br />恢复过程：<br />随着L1中存储磁能的泄放，反向电流开始减弱，Vb1开始上升，当上升到Vth（为Q1的临界导通电压）时，Q1导通，Q2亦随之导通，Ic2增大，在L1中产生的感应电动势，使Vc2的瞬时极性为+，该变化经过C1的耦合使Vb1进一步升高…又是一个正反馈过程，结果使Q2迅速饱和（脉冲上沿阶段）。<br />…振荡过程如此周而复始的进行。<br />
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