声明:由于本人的水平有限,错误之处难免,欢迎批评,欢迎指正! 如103楼所示之电路 工作过程分析: 就输出信号的波形来看,电路的工作过程可以分为以下几个阶段。 脉冲上沿阶段: 电路接通以后,Q1、Q2均导通,ic2的变化在L中产生感应电动势eL,其瞬时极性为上+下-,Q2集电极电位的变化通过电容C1的耦合使ib1进一步增大,从而导致ic1(ib2)的进一步增大,从而导致ic2的进一步增大,使Vc2进一步上升,该变化又通过C1的耦合,导致更大的ib1…..,如此循环形成一个正反馈过程(该过程是非常迅速的),结果以Q2进入饱和状态而结束。由于该过程进展很快(正反馈过程),Vc2迅速上升,出现了陡峭的脉冲上沿。 上平顶阶段: Q2饱和后,Vc2电压不变,电路进入上平顶阶段,在这段时间内,感应电动势eL对C1充电,随着电容电压的增大,Vb1开始下降,Ib1也下降,Ic1(Ib2)也随之下降,但对于Q2来说,仍维持Ib2大于Ic2/B2(B2为Q2的电流放大系数),Q2仍然处于饱和状态,Vc2基本不变。与此同时,通过电感支路的电流IL1开始由零线性增大(近似),IL1的增大使Ic2增大。由此可见,在输出信号的上平顶阶段,Ib2(Ic1)是下降的,而Ic2是增大的,最终必将导致Q2退出饱和区(进入放大区),当Ib2(Ic1)小于Ic2/B2时,Q2进入放大区,而上平顶阶段亦随之结束。 脉冲下沿阶段: 由于Q2进入放大区,因此基极电流Ib2的减小,将引起集电极电流Ic2的下降,该变化在L1中产生的感应电势将使Q2的集电极电位下降,即导致Vc2的下降,该变化通过C1的耦合使Vb1下降(电容两端的电压不能跃变),使Ib1下降,Ic1(Ib2)下降,使Ic2进一步下降,使Vc2进一步下降,通过电容C1耦合使Vb1进一步下降…..。由此又形成了一个连锁的正反馈过程,结果使Q2迅速截止。 下平顶阶段: Q2的快速截止,使电感两端激发很高的反冲电压(对地为负),该电压通过C1的耦合使Q1的发射结击穿,因此下平顶被限制在-8.5V左右(经实测也是该值)。在该阶段电感L1中储存的磁能将通过R2及击穿的Q1的发射结释放(由于通过的击穿电流没有超过极限值,因此不会造成Q1的损坏)。 恢复过程: 随着L1中存储磁能的泄放,反向电流开始减弱,Vb1开始上升,当上升到Vth(为Q1的临界导通电压)时,Q1导通,Q2亦随之导通,Ic2增大,在L1中产生的感应电动势,使Vc2的瞬时极性为+,该变化经过C1的耦合使Vb1进一步升高…又是一个正反馈过程,结果使Q2迅速饱和(脉冲上沿阶段)。 …振荡过程如此周而复始的进行。 |