剖析《模拟电路》

2万 · 2018-8-10 15:24

实际输出

2万 · 2018-8-10 15:25

去除直流成分，得如下三极管（BJT）的小信号线性模型。

2万 · 2018-8-10 15:26

小信号模型

2万 · 2018-8-10 15:26

注意，上述模型忽略了输出对输入的影响。

1万 · 2018-8-10 16:38

路过支持一下

2万 · 2018-8-17 11:20

负载线及其基本应用

负载线分输出和输入端两种情形，其都是含源的线性电路通过一个端口对接一个一般电路（可以是非线性电路）。若含源线性电路中存在动态元件，那么针对直流和交流成分相应的有静态负载线和动态负载线。

下面先看看输出端负载线。含源线性电路所对接的那个一般电路中可含有变化的电源，下图中其含一个电流源。

2万 · 2018-8-17 11:22

负载线-1

2万 · 2018-8-17 11:23

下面看看输入端负载线。含源线性电路中的电源可以是变化源，而其所对接的那个一般电路中通常不含变化源。

2万 · 2018-8-17 11:24

负载线-2

2万 · 2018-8-17 11:26

注意上述负载线在一定的条件下，其与所对接的那个一般电路几乎没有关系（这里的电流源和R3）。正是负载线的这个特性，其在图解和直观分析中起着重要的作用。

下面转入器件的具体特性和相关分析。先给两幅图，其说明了BJT的电流放大特性。

2万 · 2018-8-17 11:27

BJT电流放大特性

2万 · 2018-8-17 11:28

下面看看BJT的固定偏置及其负载线图解分析。

2万 · 2018-8-17 11:29

图解分析

2万 · 2018-8-17 11:30

实际工程技术中，任何器件的使用都必须考虑其限制特性，下面给个图示。

2万 · 2018-8-17 11:31

功率和电压限制

2万 · 2018-8-17 11:34

前面说的是BJT，下面简述一下FET。先看JFET，给几幅图。

2万 · 2018-8-17 11:35

JFET

2万 · 2018-8-17 11:36

本帖最后由 HWM 于 2018-8-18 14:57 编辑

JFET是利用PN结的耗尽层来夹断导电通路。PN结零偏下导通，而PN结反偏下其耗尽层增大致使导电通路变窄，甚至几乎完全阻塞。

对于某一固定的Vgs，若Vds增大则耗尽层也会增大（因Vgd增大），甚至是预夹断。在此情形下，JFET呈现为一个“电流源”，即继续增大Vds电流Id基本不变（或变化微小）。

2万 · 2018-8-17 11:37

本帖最后由 HWM 于 2018-8-18 14:57 编辑

关于FET，有几个概念需要说明一下：

1）欧姆变阻区

在此区域内，FET的输出特性呈现欧姆电阻特性且其阻值可受Vgs控制。

2）有源工作区

此也称为饱和区，这个区别于BJT的饱和区，这点必须要分清楚。

2万 · 2018-8-17 11:38

下面看看耗尽型MOSFET，注意其输入输出传递特性。

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