请教xukun977模拟电子技术问题，三极管的饱和压降为啥是0.3...

1万 · 2020-6-9 10:43

“电流直流放大倍数β，直到饱和电压0.3V都没有怎么变化”
是从那一点开始"直到0.3V"，β不变？这个结论从哪里来的？

1万 · 2020-6-9 10:53

captzs 发表于 2020-6-9 09:45
*

这样讨论太费劲。这样，42楼计算放大系数的式子如果有共识，那么，你考虑一下，饱和状态，当Ib电流改变，Vbe有没有改变，如果有，放大系数就有改变。如果42楼的式子没有共识，就到此为止。

只看该作者 · 2020-6-9 10:56

本帖最后由 eyuge2 于 2020-6-9 11:03 编辑

captzs 发表于 2020-6-9 10:43
“电流直流放大倍数β，直到饱和电压0.3V都没有怎么变化”
是从那一点开始"直到0.3V"，β不变？这个结论从 ...

20楼，21楼，27楼都是支持这个说法的证据。
没有怎么变化，不是说没有变化，是说变化不是很明显。

只看该作者 · 2020-6-9 11:03

本帖最后由 eyuge2 于 2020-6-9 11:18 编辑

captzs 发表于 2020-6-9 10:53
这样讨论太费劲。这样，42楼计算放大系数的式子如果有共识，那么，你考虑一下，饱和状态，当Ib电流改变， ...

42楼的公式没有问题。
在发射结导通的前提下，当Ib电流电流改变，严格说Vbe有变化，但是基本不变。
42楼的公式没有问题，就是你写了一句这是一个深度饱和电路，倒是想问一下

1.深度饱和， VCE的值应该在什么区间？VBE的值又应该是多少？
2. Ib变化的时候，VCE变化吗？

3.你拿一个深度饱和的电路来举例，对这个帖子提的问题意义在哪里，题目是在讨论VCE从比较大的值变化到VCE=0.3V，这应该还没有到深度饱和状态。

（VCE=0.3V不是一个非常准确的值，有可能是0.4.）总的说集电极反偏，到稍微正偏这样的一个过程。

1万 · 2020-6-9 11:17

本帖最后由 captzs 于 2020-6-9 11:24 编辑

eyuge2 发表于 2020-6-9 11:03
42的公式没有问题。
在发射结导通的前提下，当Ib电流电流改变，严格说Vbe有变化，但是基本不变。 ...

由于我的帖发出后才看到你的帖，所以作文字上的修改：红字。
有共识就再讲几句，临界饱和时，Vbe=Vce，过了临界饱和至Vce=0.3V，Vce<Vbe，而e结的导通压降Vbe随导通电流的改变是呈指数变化，这个可以看看PN结的伏安特性，所以在饱和状态，放大系数是改变的，深饱和时，变化极小，它们就是这样的关系。说到底，就是对Vbe=0.7V要有清醒的认识，是有条件的。

只看该作者 · 2020-6-9 11:27

本帖最后由 eyuge2 于 2020-6-9 11:33 编辑

captzs 发表于 2020-6-9 11:17
有共识就再讲几句，临界饱和时，Vbe=Vce，过了临界饱和，Vce

“有共识就再讲几句，临界饱和时，Vbe=Vce，过了临界饱和，Vce<Vbe，”这没有问题，认可。但是这几句话，和你后面说的基本么有关联

“而e结的导通压降Vbe随导通电流的改变是呈指数变化，这个可以看看PN结的伏安特性，”
不知道你要为啥要反过来说电压和电流的关系。电压是自变量，电流是因变量。电压变化很小，电流变化很大。所以才有发射结导通的前提下，VBE基本就是0.7V这种说法。
你现在这样说不对。

所以在饱和状态，放大系数是改变的，深饱和时，变化极小，它们就是这样的关系。说到底，就是对Vbe=0.7V要有清醒的认识，是有条件的。
这个我更不懂了，不明白。

只看该作者 · 2020-6-9 14:47

对于非半导体物理专业，在讲晶体三极管原理时所采用的一些说法其实是有坑的。
以下是《半导体物理与器件》这本书上对“集电极电流”给的说明，和BC结的反压有什么关系？

再看看它对“饱和”的说法：

所以你只能放弃你以前对晶体三极管的理解了。

只看该作者 · 2020-6-9 16:43

本帖最后由 eyuge2 于 2020-6-9 16:59 编辑

chunk 发表于 2020-6-9 14:47
对于非半导体物理专业，在讲晶体三极管原理时所采用的一些说法其实是有坑的。
以下是《半导体物理与器件》 ...

Is是什么？能反映IE和IC之间的比例关系吗？

1万 · 2020-6-9 20:28

captzs 发表于 2020-6-9 09:45
*

这才是忠于科学的态度，点个赞！

1万 · 2020-6-9 20:29

本帖最后由 Lgz2006 于 2020-6-9 21:05 编辑

king5555 发表于 2020-6-9 11:40
那无所谓，hFE并非一定要为10，只是代表老6在hFE等于10附近，测得此时饱和Vce和Vbe。 ...

前一句对了，下一句错了。既知hFE不一定非要为10，为何老6不可以设置个hFE=0.1状态？

1万 · 2020-6-9 20:40

eyuge2 发表于 2020-6-9 09:31
电阻是反了。

大部分三极管的处于放大状态下β是几十到几百，不会是10。所以这个电路只能是饱和。

首先，我的电路图没错。有两错，一个是算错，另个是理解领导意思错。
0.3Ⅴ，通常教科书会定义饱和了，就像定义0.7V那样。
现在我领会主题意图了，用我话这么讲:为什么“饱和前”的很大一块范围里贝塔不大怎么变？

1万 · 2020-6-9 20:52

本帖最后由 Lgz2006 于 2020-6-9 21:02 编辑

@所有人，“饱和”只是个概念，没有通用参数定义值，只能具体化。hFE在用于放大区域的分析时，往往视为不变。但这不应该包括饱和附近，那里hFE可差5倍10倍20倍。

1万 · 2020-6-9 21:00

深度饱和也是一个程度概念，也不能通用Ⅴce值定义。小管mA级下可能是0.1Ⅴ或更低，大管安培级可能1.0V就挺深了。

1万 · 2020-6-9 21:10

xukun977 发表于 2020-6-9 08:49
这个图有bug，自相矛盾！

我的电路会有毛病么？

1万 · 2020-6-9 21:14

captzs 发表于 2020-6-9 10:53
这样讨论太费劲。这样，42楼计算放大系数的式子如果有共识，那么，你考虑一下，饱和状态，当Ib电流改变， ...

这么一群人竟然不知道贝塔=Ic/Ib，还讨论个屁。

1万 · 2020-6-9 21:19

eyuge2 发表于 2020-6-9 09:31
电阻是反了。

大部分三极管的处于放大状态下β是几十到几百，不会是10。所以这个电路只能是饱和。

恭喜会估算了，你也成天才了，还省了悬赏。我费这么大劲儿点化你，叫声师傅吧。

1万 · 2020-6-9 21:26

三极管的状态，讨论了不少呀。

1万 · 2020-6-9 21:34

本帖最后由 Lgz2006 于 2020-6-9 21:38 编辑

“在饱和状态下，近似β=10。”
取B≈10，是电路设计举例数值，不是用来定义或确定饱和的通用值，这个要搞搞清楚。
“想不通的是这个电路和提出的问题有什么关系。”
你既知0.3V饱和，也知我电路是饱和，这就是关系。两个同样状态经过电路计算，你说它贝塔变不变。我说不小变！还敢说没关系？

1万 · 2020-6-9 21:36

叶春勇发表于 2020-6-9 21:26
三极管的状态，讨论了不少呀。

基本概念都不清，瞎讨论。我不过全是引导，不讨论。

1万 · 2020-6-9 21:38

Lgz2006 发表于 2020-6-9 21:36
基本概念都不清，瞎讨论。我不过全是引导，不讨论。

说实话，基本概念，我也模糊，现在更模糊，没讲清。

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