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作为硬件工程是，会用到各种芯片，但是最先进的技术依然是来自国外，常常受到国外半导体巨头无理由的掣肘。常常为没有中国芯而担忧，但是设计一款芯片又是很艰难的一件事情，不能简单类比，原子弹都造出来了，难道还做不出芯片吗? 设计IC，是从沙子到芯片的过程，设计EDA软件，生产设备，制造材料，每一关都是有难度。众多报道下，大家已有认知。芯片制造中，往往有上千步的工艺流程，其中又分光刻，蚀刻，扩散，薄膜，平坦化，离子注入，量测等。 除蚀刻外，当前我国设备与世界先进设备差距是全方位的，并不单指光刻机。就算常被忽视的量测机台，咱和顶级厂商KLA，AMAT的差距并不比咱光刻机于ASML的差距小。
国产设备最大的困扰在于不能打入高端工厂，无法在真实生产中感知不足，并快速改进以提升产品力。国家已经认识到问题，不少国产机台已在政策鼓励下进驻国内车间，实现以战代练。虽有不小差距，但在国家对科创突破的决心加持下，未来15年会是国产设备发展的红利期，必有脱颖而出者，不妨拭目以待。
上面光刻机大家都知道不好做，除了光刻机，还有做芯片过程中的材料和配件，媒体对光刻机的偏爱让大家忽略了我们对基础材料高度依赖的事实。在制造里，离不开高纯度晶圆，高分辨率光阻和各种机密配方的化学品。在设备端，就算国产设备内部，自给率也不高，离不开能符合高强度高精度使用要求的包括透镜，泵，电控等在内的各种基本配件。
2019年日本停供光阻分分钟就能教韩国做人的事却历历在目。我们这方面的差距不应被低估，也需要大量人才资金的投入。国家成立了半导体产业基金，这几年也是蓬勃发展，各种资金注入，但是效果并没有想象中的那么好。
上述讨论的都是制造端，但制造之前，再关键的就是设计软件。芯片投产前必先通过设计优化，模拟仿真。EDA巨头和芯片大佬深度绑定，数据共享，不断根据最前沿的真实数据来提升模拟精度，两方相互依赖共同进退，排挤新入局者。
突围难度巨大，唯一解法就是迈开腿，先有自己的软件，再想办法接入大量真实环境，不断打磨校准。我国起步其实较早，但是中间断档。近年国产EDA再次迈开了追赶的步伐，希望国内厂商能加深合作，有所突破。
对于封装测试：国内都有上市公司，例如长电科技、华天科技(上市公司都一大把)
芯片设计：华为海思
半导体材料：强如韩国也会被日本卡脖子（2019年7月，日本修改了对韩国关键半导体材料的出口管理条例。该条例宣布，自7月4日起，开始限制向韩国出口“氟聚酰亚胺”“光刻胶”和“高纯度氟化氢”这三种半导体材料。）
芯片制造：最快年底也只是16nm国产化
所以难度：封装测试<芯片设计<半导体材料<芯片制造
综上，尽管在多方面想要突破封锁很难，但只要做到既不妄自菲薄，也不盲目自信，正视差距，一步一个脚印，坚定不移地向前追赶。
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