做了一个VI转化电路，mosfet非常烫，求分析！

发表于 2012-8-24 10:58

同求！

发表于 2012-9-1 11:29

初学者，来学习学习

发表于 2012-9-2 07:47

1# lintriumph 垃圾点不，不好意思

发表于 2012-9-3 17:51

新人希望和大家交流

发表于 2012-9-25 21:24

我觉得0.6W发热，完全是电路设计与驱动信号的问题

发表于 2012-10-16 09:25

你电路中实际的热阻较大，注意下这个参数和条件

发表于 2012-10-18 16:16

普通运放的容性负载能力很差, 一般需要串“隔离电阻”才能带1000pF以上电容
所以用Rs，但Rs两端并电容就没了隔离效果
为确保稳定，可在运放输出端和反相端之间再接个补偿电容
这种电路不要指望有多好的带宽，只要舍得控制带宽，稳定自然不是问题

发表于 2012-10-18 16:16

普通运放的容性负载能力很差, 一般需要串“隔离电阻”才能带1000pF以上电容
所以用Rs，但Rs两端并电容就没了隔离效果
为确保稳定，可在运放输出端和反相端之间再接个补偿电容
这种电路不要指望有多好的带宽，只要舍得控制带宽，稳定自然不是问题

发表于 2012-10-22 17:23

发表于 2012-10-27 15:43

1# lintriumph
不知你有没有测试一下MOS管的Vgs电压波形
第一，看MOS是否处于PWM状态，此时频率越高，其开关损耗越大，管子越烫
第二，如果你测得的波形不是PWM状态，那就是管子处于放大状态之中，这时Rds电阻相对就比较大，这样管子同样会很烫。

发表于 2012-10-27 16:32

驱动不足

发表于 2012-10-28 16:57

看图，LZ是用高频脉冲控制MOS管的吧，是不是频率太高了。你侧下G极的电压波形呢？
MOS管开关的损耗要比完全导通的功耗要大。

发表于 2012-11-3 17:00

过来学习一下~

发表于 2012-11-6 21:26

新手来拿积分的

发表于 2012-11-6 21:27

再拿一次

发表于 2012-11-13 09:50

学习一下

发表于 2012-11-13 10:00

随便看看

登录 · 发表于 2012-11-13 23:40

现在的散热条件是什么：加没加散热器如果加了还热的话可能是有高频震荡，可以使用如下电路

发表于 2012-11-19 11:51

0.6W 你以为就不烫了啊呵呵没散热好也很烫的了额

发表于 2012-11-24 09:38

那位高手分析一下，mos开通瞬间电压的波形