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做了一个VI转化电路，mosfet非常烫，求分析！

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楼主: lintriumph
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81楼
我在线上| | 2012-8-24 10:58 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
同求！

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82楼
hao080334| | 2012-9-1 11:29 | 只看该作者
初学者，来学习学习

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83楼
yanglegend| | 2012-9-2 07:47 | 只看该作者
1# lintriumph 垃圾点不，不好意思

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84楼
loulei520| | 2012-9-3 17:51 | 只看该作者
新人希望和大家交流

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85楼
closertb| | 2012-9-25 21:24 | 只看该作者
我觉得0.6W发热，完全是电路设计与驱动信号的问题

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86楼
xxshrimp| | 2012-10-16 09:25 | 只看该作者
你电路中实际的热阻较大，注意下这个参数和条件

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87楼
赤铸| | 2012-10-18 16:16 | 只看该作者
普通运放的容性负载能力很差, 一般需要串“隔离电阻”才能带1000pF以上电容
所以用Rs，但Rs两端并电容就没了隔离效果
为确保稳定，可在运放输出端和反相端之间再接个补偿电容
这种电路不要指望有多好的带宽，只要舍得控制带宽，稳定自然不是问题

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88楼
赤铸| | 2012-10-18 16:16 | 只看该作者
普通运放的容性负载能力很差, 一般需要串“隔离电阻”才能带1000pF以上电容
所以用Rs，但Rs两端并电容就没了隔离效果
为确保稳定，可在运放输出端和反相端之间再接个补偿电容
这种电路不要指望有多好的带宽，只要舍得控制带宽，稳定自然不是问题

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89楼
yang91204| | 2012-10-22 17:23 | 只看该作者
:)

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90楼
liuhaihong| | 2012-10-27 15:43 | 只看该作者
1# lintriumph
不知你有没有测试一下MOS管的Vgs电压波形
第一，看MOS是否处于PWM状态，此时频率越高，其开关损耗越大，管子越烫
第二，如果你测得的波形不是PWM状态，那就是管子处于放大状态之中，这时Rds电阻相对就比较大，这样管子同样会很烫。

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91楼
xiaotuzi09| | 2012-10-27 16:32 | 只看该作者
驱动不足

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92楼
xygyszb| | 2012-10-28 16:57 | 只看该作者
看图，LZ是用高频脉冲控制MOS管的吧，是不是频率太高了。你侧下G极的电压波形呢？
MOS管开关的损耗要比完全导通的功耗要大。

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93楼
pepsi079| | 2012-11-3 17:00 | 只看该作者
过来学习一下~

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94楼
cchuan18252065| | 2012-11-6 21:26 | 只看该作者
新手  来拿积分的

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95楼
cchuan18252065| | 2012-11-6 21:27 | 只看该作者
再拿一次

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96楼
Hhuwei_harry| | 2012-11-13 09:50 | 只看该作者
学习一下

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97楼
melo199281| | 2012-11-13 10:00 | 只看该作者
随便看看

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98楼
blessdxp| | 2012-11-13 23:40 | 只看该作者
现在的散热条件是什么：加没加散热器如果加了还热的话可能是有高频震荡，可以使用如下电路

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99楼
anvy178| | 2012-11-19 11:51 | 只看该作者
0.6W 你以为就不烫了啊  呵呵 没散热好也很烫的了额

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100楼
blessdxp| | 2012-11-24 09:38 | 只看该作者
那位高手分析一下，mos开通瞬间电压的波形

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