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集成电路封装测试是确保芯片性能与可靠性的核心环节，主要包括晶圆级测试（CP测试）和封装后测试（FT测试）两大阶段，流程如下： 一、晶圆级测试（CP测试） 1.测试目的：在晶圆切割前筛选出功能缺陷或性能不达标的晶粒（Die），避免后续封装环节的资源浪费，显著降低制造成本。 2.核心设备与操作 l 探针台（Prober）：通过高精度移动平台将探针与晶粒的Pad jing准接触，实现电气连接。 l ATE测试机：提供测试电源、信号输入及功能向量，接收晶粒反馈信号以判定其良率（例如检测漏电流、阈值电压等参数）。 l 探针卡（Probe Card）：根据芯片Pad布局定制，确保ATE信号与晶粒引脚导通。 3.输出结果 生成晶圆缺陷图（Wafer Map），标记**晶粒（如打墨点），供后续封装环节剔除。 二、封装流程关键步骤 1.前段处理 l 晶圆减薄：通过背面研磨将晶圆厚度调整至封装要求（如100μm以下），并粘贴保护胶带防止电路损伤。 l 晶圆切割：用金刚石刀片或激光切割将晶圆分割为独立晶粒，清洗后去除残留碎屑。 2.核心封装工艺 l 芯片贴装（Die Attach）：将晶粒固定在基板或框架上，通过银浆或焊料实现机械固定与导热。 l 引线键合（Wire Bonding）：用金线/铜线连接晶粒Pad与封装基板引脚，确保信号导通。 l 塑封成型（Molding）：使用环氧树脂（EMC）包裹芯片，保护内部结构免受物理和化学损害。 3.后段处理 l 激光打标：在封装表面刻印型号、批次等信息。 l 电镀与切割：对引脚进行电镀处理（如镀锡/镍），增强可焊性，并切除多余塑封材料。
三、封装后测试（FT测试） 1.功能验证 l 检测封装后芯片的电气性能（如工作频率、功耗、I/O信号完整性），确保符合设计规格。 l 通过边界扫描（Boundary Scan）等技术验证内部逻辑功能。 2.可靠性测试 l 环境应力测试：包括高温/低温循环（-55℃至+150℃）、高湿高压（如85℃/85%RH）等，验证芯片寿命与稳定性。 l 机械强度测试：如振动、冲击测试，评估封装结构可靠性。 3.量产终测 自动化测试设备（ATE）批量执行测试程序，生成测试报告（含良率、失效模式等数据）。 四、技术演进与效率优化 l 自动化升级：通过视觉定位系统与机械臂实现探针快速校准，提升CP测试效率（如每小时测试晶圆数量提升30%）。 l 多芯片并行测试：支持存储器等芯片的多点同步测试，降低单颗测试成本。 集成电路封装测试通过晶圆筛选-封装保护-功能验证的闭环流程，确保芯片性能达标与chang期可靠性。晶圆级测试（CP）与封装后测试（FT）的分段实施，显著降低制造成本（**品处理成本相差10倍以上）。随着探针台精度提升（达±0.1μm）与测试设备智能化，该流程正加速向高集成度、高可靠性方向演进。
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