MOT6522J 系列是仁懋针对[color=rgb(0, 0, 0) !important]负载开关、PWM 应用、功率管理场景开发的 N 沟道增强型功率 MOSFET，以先进沟槽工艺、低导通电阻、低栅极电荷为优势，适配负载开关、PWM 控制等场景，采用 PDFNX33-8L 小型化贴片封装，满足高密度电路设计需求。
MOT6522J 系列基本信息MOT6522J 本质为 [color=rgb(0, 0, 0) !important]N 沟道增强型功率 MOSFET，核心定位是 “中压大电流功率开关与电源管理器件”，适用于负载开关、PWM 应用、功率管理等场景。其核心特性包括：
- 电压适配：支持 60V 漏源电压（VDS），适配中压供电系统；
- 电流能力：连续漏极电流（ID）可达 35A（Tc=25℃时），脉冲漏极电流（Iout）达 140A，满足大电流负载控制需求；
- 导通特性：导通电阻（RDS (on)）典型值 16mΩ（Vgs=10V 时）、21mΩ（Vgs=4.5V 时），降低导通损耗；
- 封装形式：采用 PDFNX33-8L 贴片封装，小型化设计适配高密度电路板；
- 技术特性：基于先进沟槽工艺，具备优异的 RDS (on) 和低栅极电荷特性，且为无铅引脚镀层。
引脚图与引脚定义MOT6522J 采用 PDFNX33-8L 封装，引脚功能定义如下（结合符号及封装图示）：
- Gate（栅极）：通过输入正电压（VGS）控制漏源极之间的导通 / 关断，N 沟道需输入正电压（如 4.5V~10V）；
- Drain（漏极）：电流流入端，接负载或电源正极（因 N 沟道特性，电源正极接漏极）；
- Source（源极）：电流流出端，贴片封装内置散热设计，优化结温传导效率。
关键性能参数（典型值：Tc=25℃，除非特殊说明）1. 绝对最大额定值参数类型 参数符号 值 单位 测试条件 / 备注
漏源电压 VDS 60 V ——
栅源电压 VGS ±20 V ——
连续漏极电流（Tc=25℃） ID 35 A ——
连续漏极电流（Tc=100℃） ID 22.8 A ——
脉冲漏极电流 Iout 140 A ——
单脉冲雪崩能量 EAS 165 mJ ——
功率耗散 Pd 42 W ——
结 - 壳热阻 RθJC 3 ℃/W ——
工作与存储温度范围 TJ、Tstg -55~150 ℃ ——2. 产品特性参数参数类型 参数符号 典型值 测试条件 备注
导通电阻（Vgs=10V） RDS(on) 16mΩ —— 导通时漏源间电阻，损耗低
导通电阻（Vgs=4.5V） RDS(on) 21mΩ —— ——
连续漏极电流 ID 35A Tc=25℃ ——封装及型号释义MOT6522J 采用 [color=rgb(0, 0, 0) !important]PDFNX33-8L 贴片封装，其型号与封装对应关系及释义如下：
- 完整型号：MOT6522J
- 型号释义：
- MOT：品牌标识（仁懋科技）；
- 6522：主型号（功率 MOSFET 系列代号）；
- J：版本等级（表示电气参数精度等级，J 为标准级）。
- 封装特点：PDFNX33-8L 贴片封装，小型化设计，适配负载开关、PWM 应用等高密度场景，利于电路的小型化与高效散热，包装为 5000 片 / 卷。
信息来源基于仁懋科技（MOT Technology）提供的 MOT6522J 产品信息整理，实际应用需以最新版官方手册及具体器件批次测试数据为准。
|
|
