这个MOS的驱动，大家研判一下驱动电压合适不？

登录 · 发表于 2011-3-12 23:09

H-桥驱动，都是N-MOS。上管用24v驱动，下管用15v还是24v好呢？

发表于 2011-3-13 00:20

24V不能驱动上管吧！

发表于 2011-3-13 08:32

24V不能驱动上管。

发表于 2011-3-13 09:38

楼上两位：对于上管的驱动，有什么好办法吗？最近很迷惑这个。
24V不能驱动上管。那应该怎么设计呢？设计原则是什么呀？

发表于 2011-3-13 09:53

本帖最后由 woshixinshou 于 2011-3-13 09:54 编辑

换成P管或者将24V提到更高的30V

发表于 2011-3-13 11:08

5楼：为什么要到30V呢

tc9148 · 发表于 2011-3-13 12:09

NMOS的Vgs的完全开启电压一般都要8到10V，即是栅极G比源极S要高出10V左右。
但是现在即使光耦没有压降，加在G极的电压最多也就24V。使用这种驱动方式，我们一般期待加负载上的电压为漏极D的电源电压，理想N管Vds电压为0，若是这样的话，那么Vs的电压也为24V，这时Vg=Vs，所以大家都说上管不工作。实际上，上管工作在恒流区，发热严重。

发表于 2011-3-13 16:52

一般的mos驱动电源是3-10v这个范围。

发表于 2011-3-13 18:27

7楼说的我理解，我犯了一个很大的认知错误。
上管的驱动看来还得用专用驱动IC好。只在GS端加控制电压。
帖子可以沉了。

tc9148 · 发表于 2011-3-13 22:26

一般MOS管的驱动电压在10V左右,因此LZ的MOS管驱动电压,不论是上MOS,还是下MOS都不好.
按绝对值来计算,上臂MOS管的驱动电压需要24+10=34V.上臂MOS管驱动电压只要10V,需要经过限流钳压.

登录 · 发表于 2011-3-13 22:39

MOS管的Vgs一般都在10V左右.

tc9148 · 发表于 2011-3-13 23:22

上管的驱动要加个自举升压

发表于 2011-3-13 23:53

10楼：

你的意思是要保证Vgs要大于上管的VDD电压10V以上才行，是吧？也就是Vgs>VDD+10。VDD是上管的D端电压，因为上管导通时，Vd约等于Vs。

发表于 2011-3-14 07:52

保证需要导能的MOS管的Vgs>截止电压.

发表于 2011-3-14 08:03

上管的情况一般驱动有两种方式，
1、使用隔离变压器进行驱动
2、使用独立电源，用光耦驱动
...
roy_158 发表于 2011-3-13 21:02

这些方法太麻烦，成本太高。

上管的驱动，现在都不用上述方法，而直接用成本更低的自举方式。

发表于 2011-3-14 10:33

自举的最便宜~

发表于 2011-3-14 12:37

24V俨然不能驱动上管啊自举技术是王道

发表于 2011-3-23 10:35

这些方法太麻烦，成本太高。

上管的驱动，现在都不用上述方法，而直接用成本更低的自举方式。
123jj 发表于 2011-3-14 08:03

如果采用自举芯片，一般选择什么型号的？望大侠指导！

发表于 2011-3-23 10:59

上管如果换成P型MOS呢？:P

发表于 2011-3-23 23:57

如果驱动信号是直流的话，用P沟道的MOS会简单些。

这个MOS的驱动，大家研判一下驱动电压合适不？

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