大电容旁并联小电容的原因

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 楼主| b2bic 发表于 2008-9-23 16:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
因为大电容由于容量大,所以体积一般也比较大,且通常使用多层卷绕的方式制作(动手拆过铝电解电容应该会很有体会,没拆过的也可以拿几种不同的电容拆来看看,不过要注意安全,别弄伤手),这就导致了大电容的分布电感比较大(也叫等效串联电感,英文简称ESL)。大家知道,电感对高频信号的阻抗是很大的,所以,大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反,由于容量小,因此体积可以做得很小(缩短了引线,就减小了ESL,因为一段导线也可以看成是一个电感的),而且常使用平板电容的结构,这样小容量电容就有很小的ESL,这样它就具有了很好的高频性能,但由于容量小的缘故,对低频信号的阻抗大。所以,如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过,就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。常使用的小电容为0.1uF的瓷片电容,当频率更高时,还可并联更小的电容,例如几pF,几百pF的。<br /><br />而在数字电路中,一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地(这电容叫做去耦电容,当然也可以理解为电源滤波电容。它越靠近芯片的位置越好),因为在这些地方的信号主要是高频信号,使用较小的电容滤波就可以了<br />转自:http://bbs.b2bic.com/dispbbs.asp?boardID=5&ID=8096&page=1
computer00 发表于 2008-9-23 16:59 | 显示全部楼层

倒塌……这明明是俺写的帖子~~~~~~

  
香水城 发表于 2008-9-23 17:04 | 显示全部楼层

哈哈,俺的帖子也经常被人家抄来抄去

就当是替俺做宣传吧,呵呵~~~~~~
computer00 发表于 2008-9-23 17:10 | 显示全部楼层

呵呵……这个还好拉,有些干脆改成自己原创了,那才可恶~~

  
hq_y 发表于 2008-9-23 17:11 | 显示全部楼层

建议00以后这样写帖子:

圈圈以为<br />圈圈认为<br />圈圈觉得<br />圈圈XX<br />。。。
computer00 发表于 2008-9-23 17:39 | 显示全部楼层

恩……俺的书中就全部是这样的,哈哈……

  
gjg191 发表于 2008-9-23 20:16 | 显示全部楼层

o

看你的书,眼里全是00
cnchip 发表于 2008-9-23 20:39 | 显示全部楼层

不知为何,我实际测试IC旁并小电容时似乎没啥明显效果!

几十M的干扰依然畅通无阻的杀进VCC.<br />如5V电源上叠加了峰峰值约700mV、频率约50MHz的干扰,就不太好弄,不知怎么比较有效!
computer00 发表于 2008-9-23 20:44 | 显示全部楼层

装几个0.01uF的电容试试。

  
hotyong 发表于 2008-9-23 22:59 | 显示全部楼层

哈哈

00以为他加了个&quot;转自&quot;,就以为他说这不是原创啊,你看一下他是转自哪的,还是转自他的自己发的一个贴子!!也就是说还是认为是他原创的!!呵呵<br />不会00在别的地方叫adminb2bic吧!!
xzsong 发表于 2011-8-14 10:17 | 显示全部楼层
学习了,讲得很详细,以前的疑惑终于揭开了
hncxu 发表于 2011-8-14 16:22 | 显示全部楼层
顶起~~
SYHDJF 发表于 2011-8-16 23:23 | 显示全部楼层
在海量的帖子中找寻对自己有用的知识。谢谢楼主讲解
yangaiping 发表于 2011-8-17 09:47 | 显示全部楼层
学习 的
ttlasong 发表于 2011-8-17 20:22 | 显示全部楼层
1003704680 发表于 2011-8-18 09:49 | 显示全部楼层
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