本帖最后由 玛尼玛尼哄 于 2024-6-28 17:30 编辑
在设计最小系统时，晶振的电容选择需要综合考虑单片机和晶振的推荐参数。一般来说，晶振的负载电容是指晶振振荡所需的等效电容，而单片机推荐的电容值是基于特定的负载电容和PCB布线的寄生电容来选择的。
为了确定最合适的电容值，可以遵循以下步骤：
- 查看晶振手册：
- 首先查看晶振手册中推荐的负载电容值（通常标记为CL）。
- 计算实际所需电容：
根据晶振的负载电容值，结合PCB布线的寄生电容，计算所需的电容值。负载电容的计算公式如下：
其中，C1和C2是晶振两端的电容，C_{PCB}是PCB布线的寄生电容。
- 调整电容值：
- 如果晶振手册推荐的负载电容是12pF，而单片机原理图推荐的电容是20pF，可以根据实际情况进行调整。例如，如果PCB布线的寄生电容较小，可以考虑接近晶振手册推荐的12pF。如果PCB布线的寄生电容较大，可以适当增加电容值，接近20pF。
- 测试验证：
选定电容值后，进行实际电路测试，确保晶振能够稳定振荡，且频率符合要求。
举例：
假设晶振手册推荐的CL为12pF，PCB寄生电容为2pF。
通过公式计算得出：
可以选择接近的标准电容值，例如两端各使用18pF的电容（实际负载电容可能略有调整）。
最终，晶振电容的选择需要通过计算和实际测试相结合，以确保电路的最佳性能和稳定性。
|
楼主
