使用该温度计算出来的擦除和写入时间参数EEPROM的寿命会是多少?

发表于 2013-9-17 21:16

Cy的芯片内部可以用Flash模拟为EEPROM使用.但是其有严格的擦除和写入时间要求,并且该时间是温度的函数.setting T to 0°C and using the hot value for B and M. This simplification is acceptable only if the total number of erase write ycles are kept to less than 10 and the operation is performed near room temperature.翻译为:设置温度T=0°C,并使用高温段的B和M参数计算擦除和写入时间.在芯片实际温度为室温时,芯片的擦除和写入寿命小于等于10次(不是100次也不是1000次,而是十次).
其内部的温度传感器误差为:Accuracy of ± 20°C with no calibration .没有校正的误差为± 20°C.

发表于 2013-9-17 21:18

难点是什么

发表于 2013-9-17 21:20

校正温度传感器误差

发表于 2013-9-17 21:22

不现实,生产量太大

发表于 2013-9-17 21:24

使用外部温度传感器

发表于 2013-9-17 21:26

成本太高

发表于 2013-9-17 21:28

单个的传感器不贵吧

发表于 2013-9-17 21:30

是，但是量变成质变啊

发表于 2013-9-17 21:32

一般情况下，不要将FLASH当EEPROM用，也不要将EEPROM做RAM用。

发表于 2013-9-17 21:34

zhuhuis 发表于 2013-9-17 21:32
一般情况下，不要将FLASH当EEPROM用，也不要将EEPROM做RAM用。

对，尽管可以这样使用，但实际上存在问题，寿命和操作时间最突出。

发表于 2013-9-17 21:37

只适合个别的，如只放一个固定的表格

发表于 2013-9-17 21:39

嗯，或不会“频繁”操作使用的情况。

发表于 2013-9-17 21:40

在常温下PSOC flash的块擦写寿命可达4万次,如果采用滚动写入算法寿命还要增加，
问题的关键在于擦写时必须保证电源的稳定性，我们用PSoc已经6年(200万片)，目前还未
出现您所怀疑的问题，请仔细阅读技术样本

发表于 2013-9-17 21:42

哦，我再看看，先结贴了

发表于 2013-9-17 22:47

没明白lz的意思…………

使用该温度计算出来的擦除和写入时间参数EEPROM的寿命会是多少?

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