[电路/定理] 为什么Q8、Q9发烫好厉害??

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 楼主| 奋进2013号 发表于 2014-9-20 22:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 奋进2013号 于 2014-9-20 22:06 编辑

我最近设计一个逆变的升压电路,但是不知道为什么Q8、Q9发烫好厉害??

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Siderlee 发表于 2014-9-20 22:10 | 显示全部楼层
这是驱动 部分。。。。

驱动能力放大的

用的什么封装啊

估计是散热能力不足了
 楼主| 奋进2013号 发表于 2014-9-20 22:12 | 显示全部楼层
 楼主| 奋进2013号 发表于 2014-9-20 22:13 | 显示全部楼层
我仿真过了发烫三极管的输入电流不大,只有20ma左右
446267568 发表于 2014-9-21 09:34 | 显示全部楼层
PWM0端口的驱动电流是多少,感觉是端口驱动不足,而驱动MOS时电流比较大,单片机的端口电流超过20ma的比较少,三极管没饱和,
宋业科 发表于 2014-9-21 10:38 | 显示全部楼层
这个图感觉好奇怪。
 楼主| 奋进2013号 发表于 2014-9-21 16:05 | 显示全部楼层
446267568 发表于 2014-9-21 09:34
PWM0端口的驱动电流是多少,感觉是端口驱动不足,而驱动MOS时电流比较大,单片机的端口电流超过20ma的比较 ...

输入那电压是3.3V,三极管要怎样子才能饱和的
446267568 发表于 2014-9-21 18:06 | 显示全部楼层
奋进2013号 发表于 2014-9-21 16:05
输入那电压是3.3V,三极管要怎样子才能饱和的

增大基极电流,我前几天用8050驱动12V,150ma的风扇,基极电压3.3V,基极电阻300R时三极管发烫,基极减小到50R时才可以。驱动MOS时瞬间电流应该更大,你把60KHz信号用个三极管跟随一下试试
xmar 发表于 2014-9-22 16:09 | 显示全部楼层
Q8、Q9静态工作点不对;
ZG11211 发表于 2014-9-22 21:03 | 显示全部楼层
本帖最后由 ZG11211 于 2014-9-22 21:06 编辑

两个管子在某个时间段出现了同时导通可以尝试在Q8Q9的BE极接入合适的电阻。
 楼主| 奋进2013号 发表于 2014-9-22 21:16 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2014-9-22 18:34
信號60KHz就不可忽視Q6及Q7結電容Ccb和Cbe,必須在Q8和Q9的基射极並聯電阻。

Q8和Q9的基射极並聯電阻后果然不热了。但是Q6始终会发烫,这是什么原因,请指教
 楼主| 奋进2013号 发表于 2014-9-22 21:27 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2014-9-22 21:23
連到PWM0的電阻降低一些,或者改成兩顆電阻使其分別串在Q6及Q7的射极上。

那个电阻只有22欧,还要低吗,可以解释下吗,谢谢。
 楼主| 奋进2013号 发表于 2014-9-22 22:27 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2014-9-22 21:45
看不清楚圖有所偏差了。主因是Q6壓降來自12V加上22歐上電流得到可觀功率,最好Q6集极串電阻。否則如上樓改 ...

是在Q6的集极和Q8的基极之间串联一个电阻吗
xmar 发表于 2014-9-23 11:38 | 显示全部楼层

改成这个。

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 楼主| 奋进2013号 发表于 2014-9-23 19:18 | 显示全部楼层
xmar 发表于 2014-9-23 11:38
改成这个。

你好,我试过在Q8的E、B之间并联一个电阻,Q8还是发烫很厉害,注明一点:我测试时pwm输入的是60khz,占空比为48%的方波。求解,麻烦给我个好的解决方案,有劳。

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xmar 发表于 2014-9-24 08:26 | 显示全部楼层
奋进2013号 发表于 2014-9-23 19:18
你好,我试过在Q8的E、B之间并联一个电阻,Q8还是发烫很厉害,注明一点:我测试时pwm输入的是60khz,占空 ...

参考17楼图,把R13从220R改成10K,然后并联220pF的电容。目的就是减小Q8、Q9电流。
xmar 发表于 2014-9-24 15:25 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2014-9-24 12:09
不曉得為何不用一般的電路。

17楼电路输出幅度更大,轨对轨。还有输出波形陡峭。
yangdiandong 发表于 2014-10-9 16:46 | 显示全部楼层
增加死区时间,死区时间不够长。会出现同时导通的情形。
william008 发表于 2014-10-10 10:44 | 显示全部楼层
不知道你的电路为什么这么设计
R17和Q10提供一个负反馈的通路,使得Q8和Q9在稳态时处于线性区,并没有完全饱和,所以当然很烫。
你可以示波器量Q8和Q9的C极波形,可以验证Q8Q9有没有饱和。
william008 发表于 2014-10-10 10:45 | 显示全部楼层
MOS管有成熟的驱动电路或驱动芯片,不知道你为什么要自创一派
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