fram的数据存储问题

发表于 2021-11-2 20:03

直接将数据存储于代码区的后段不太好，操作时间会有点儿长

发表于 2021-11-2 20:08

我之前用过外置的flash，FM25CL64，掉电不丢失，速度也很快

发表于 2021-11-2 20:09

选择一个铁电就行了，都不错的

发表于 2021-11-2 20:10

存MCU的后半段空余的也行，重新烧录代码如果不选择全部擦写的话不会丢失原来保存的数据

发表于 2021-11-2 20:11

推荐FM系列的铁电存储器速度非常快

发表于 2021-11-2 20:11

铁电优势就是0响应，但是缺点就是贵哈哈哈

发表于 2021-11-2 20:12

你说的改写cmd文件是个什么？

发表于 2021-11-2 20:13

买个大点儿的铁电是不是就解决你这个问题了

发表于 2021-11-2 20:13

重新烧录如果不选择全部擦写flash的话是不会丢失数据的

发表于 2021-11-2 20:14

感觉你这问题就是选择个大一点点的铁电存储器就好了

发表于 2021-11-2 20:15

看你对数据操作频不频，如果不频的话选择flash存储也行比如25Q64这种

发表于 2021-11-2 20:15

铁电没什么问题，如果存储不够用就选择大一点的

发表于 2021-11-2 20:16

你是需要文件系统？

发表于 2021-11-2 20:17

铁电数据存储没有说可以合并吧

发表于 2021-11-2 20:19

按我理解：第一题，不知道，不能乱下结论；
2，可以直接将数据存储于代码区的后段。
3.重新烧录代码，如果不是全部擦除是不会丢失原来保存的数据。
4.如果改写cmd文件增加数据区，这块好像得需要文件系统来操作了

发表于 2021-11-2 20:20

第一个问题，感觉不能合并吧，没这么干过

[STM32F1] fram的数据存储问题