[技术讨论] 对比一下欧洲某大学的考试题,国内工程师请进!

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 楼主| K.G.B. 发表于 2007-9-6 18:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
注:看了国内某电子工程师考试题,觉得国内注重实践,不知道是否知其然并知其所以然,因此小弟在此首次灌水,希望抛砖引玉,了解一下国内工程师的水平。<br /><br />1。普通二极管和电力电子用的二极管在结构上有什么区别?提示:psn结构,s层的作用是什么?可以从杂质掺杂浓度来分析。<br /><br />2。在现代开关器件中,经常可以看到punch&nbsp;through技术的应用。请介绍一下这种技术的原理和它的优点(相比起没有使用此技术的器件)。<br /><br />3。IGBT有“电导调制”的特点,应此igbt在大电流,较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?<br /><br />4。thyristor和gto结构上大同小异,但后者却能够实现主动关断。请介绍一下生产工艺上的差异。<br /><br />5。在大电流应用场合,有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联,哪些不可以?原因是什么?<br /><br />6。在常用的dcdc&nbsp;converter中,如buck&nbsp;converter&nbsp;或boost&nbsp;converter,二极管的反相恢复时间对能量损耗的影响很大。为改善损耗,请给出两种方法。提示:新器件**拓扑结构。
 楼主| K.G.B. 发表于 2007-9-6 21:36 | 显示全部楼层

公布答案

选中后方可阅读-----<br /><br /><font color=#EEEEEE><br /><br />1。普通二极管和电力电子用的二极管在结构上有什么区别?提示:psn结构,s层的作用是什么?可以从杂质掺杂浓度来分析。<br /><br />答:通常为了增加二极管的耐压,理论上可以增厚pn结,并且降低杂质浓度,但是缺点是正相导通损耗变大。<br />通过加一层低杂质的s层,性能得到改观:正相导通的时候s层完全导通,近似于短路,直接pn连接,所以压降小;反相接电压的时候,由于s层的杂质浓度低,电导低,或者说此s层能够承受的最大电场E较大,所以s层能够承受较大电压而不被击穿。<br /><br />2。在现代开关器件中,经常可以看到punch&nbsp;through技术的应用。请介绍一下这种技术的原理和它的优点(相比起没有使用此技术的器件)。<br /><br />答:在开关器件中,用于提高耐压的s层往往并没有得到充分的利用,因为s层的一端耐压为Emax的时候,另外一段为0,也就是说,E在s层并不是均匀分布的,Umax~0.5(Emax+Emin)——注意,器件耐压只取决于s层中E对于l长度的积分。punch&nbsp;through就是在s层与pn结直接再加一层高杂质掺杂的薄层,使得此层中电场由Emax变化到Emin=0,而真正的s层中处处场强都接近于Emax。<br />理论上,通过punch&nbsp;through技术,s层的宽度可以减少50%——在耐压不变的前提下。实际中由于s层必须有一定的电导,宽度会略大于50%。<br /><br />3。IGBT有“电导调制”的特点,应此igbt在大电流,较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?<br /><br />答:电导调制其实很简单,也就是Uce之间的等效电路模型为一接近理想的二极管。饱和电压不随着电流增加而增加,导通损耗为P~I;而mosfet的ds等效电路为一个电阻,损耗为P~I^2。因此在通态损耗占主要因素的场合(如电机驱动),igbt更有优势。<br /><br />4。thyristor和gto结构上大同小异,但后者却能够实现主动关断。请介绍一下生产工艺上的差异。<br /><br />答:比较难用文字说清楚,gto是的层与层之间是环形结构,所以结合程度要比普通的晶闸管好,能够实现关断(具体请自行参阅相关文献)。<br /><br />5。在大电流应用场合,有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联,哪些不可以?原因是什么?<br /><br />答:mosfet可直接用于并联,igbt不方便。因为mosfet是负温度系数,各个并联管之间可以平衡:T上升,Rds上升-》I减小。而igbt是正温度系数不行,同理,双极型三极管也不可以简单并联。如果要并联,必须串联在e极一个小电阻,但这就降低了效率,不太实用。<br />另外igbt还有latch的问题,详情参考相关文献。<br /><br /><br />6。在常用的dcdc&nbsp;converter中,如buck&nbsp;converter&nbsp;或boost&nbsp;converter,二极管的反相恢复时间对能量损耗的影响很大。为改善损耗,请给出两种方法。提示:新器件**拓扑结构。<br /><br />答:方案一,用SiC代替快回复二极管。经过计算得出,不少情况下,虽然SiC二极管比较贵,但从整体而言产品性价比更高,原因:开关损耗小,散热片小。。。<br />方案二,用synchronous&nbsp;boost、buck&nbsp;converter代替。上臂的管子也用mosfet。利用mosfet在Ugs接电压的时候ds双向导通的特点(纯看上去一电阻),减小损耗,尤其在低电压驱动电路中,此结构可大大减少电路通态损耗。<br />方案三,让管子工作在discontinueous的状态。<br />方案死,让管子工作在continueous状态,但是减小电感,增加电流的ripple,使其最小值低于0——resonant&nbsp;pole,缺点是mosfet通态损耗变大。<br /><br />以上答案均为个人总结,如有差错,还请包涵。<br /><br />感想:此考试的专业并不是半导体制造工艺,而是很general的基础课程。50%的电子方向学生都必须通过这门考试。我观察了国内论坛挺久,发现大多讨论话题都是比较偏向实际应用的。可是我感觉,如果没有对于一个系统有着真正本质的了解而只是浮在表面,作出来的系统很难工作在一个optimal的状况下。譬如选电感的时候,ripple&nbsp;factor多大对于系统最优?电解采用哪种产品,它在“此”电路中的寿命大约多少?mosfet在此电路中的寿命大概是多少?确实,这些是很底层的东西,但是如果我们工程师不去掌握它,设计层面停留在“大约”的阶段,产品是很难和国外的相比的。<br /><br /></font><br /><br />希望国内搞技术的工程师,多掌握理论知识,知其然并知其所以然。不管是电子,机械制造方面也是一样。&nbsp;
computer00 发表于 2007-9-6 18:10 | 显示全部楼层

呵呵,基本上不会做。

  
smileage 发表于 2007-9-6 18:57 | 显示全部楼层

晕了晕了,怎么办呢?

各种器件结构原理要学,各种电源知识要学,模拟信号处理电路要学,单片机ARMDSPFPGA都要懂一点,嵌入式编程要学,各种通信接口技术也要学...<br /><br />可是,上面提出的问题挺底层的,我还是没有学到
木头东瓜 发表于 2007-9-6 19:38 | 显示全部楼层

全都不会做

  
HWM 发表于 2007-9-6 22:04 | 显示全部楼层

没有代表性,只反应了电力电子器件方面的一些专业知识。

更看不出内含有多少理论知识,且能知其所以然。
 楼主| K.G.B. 发表于 2007-9-6 22:22 | 显示全部楼层

看得出,楼上的很不忿啊

原题都是定量计算。如果你自问对于给出的条件都能够定量计算,那么您的水平——就不在我所在国家大学的普通3年级学生之下了。
HWM 发表于 2007-9-6 22:33 | 显示全部楼层

不知楼上是哪个国家的?

至少在我的学校里是不会将这种类似的东西作为必修内容的。也许工科会强调这些,但只是强调而已,并不是其学科的基础所在。
 楼主| K.G.B. 发表于 2007-9-6 22:41 | 显示全部楼层

在德国

这些是专业阶段的基础课程。EE方向人人都要学的。考试内容则都是以上题目定量计算加深版。<br /><br />我接触下来,德国工程师最大特点就是喜欢画图。“如果要评估一下自己的专业知识是否已经真正扎实掌握了,就尝试用画图来解释”——这个是一位教授教给我的,我认为是金玉良言。<br /><br />楼上在哪国?<br />
tomystory 发表于 2007-9-6 23:08 | 显示全部楼层

牛人,

  
maychang 发表于 2007-9-6 23:11 | 显示全部楼层

完全赞成楼主 K.G.B. 的感言

“希望国内搞技术的工程师,多掌握理论知识,知其然并知其所以然。”<br /><br />我总觉得,本坛发帖提出的很多问题,其实是没有搞清楚欧姆定律。<br />按说欧姆定律是电路中最最基本的知识,可是,问题出在欧姆定律上的帖还真多。
木头东瓜 发表于 2007-9-7 07:46 | 显示全部楼层

楼主为啥不搞点最基础的东西?

这里搞电力电子的毕竟只是一部分人<br />不搞这块,楼主的题目就只能达到听说过的水平而已<br />
wxalex 发表于 2007-9-7 08:05 | 显示全部楼层

LZ的题目不具备代表性,而且主要是电力电子方面的

  
HWM 发表于 2007-9-7 08:06 | 显示全部楼层

楼主别大惊小怪了,

这玩意儿《电力电子器件原理和应用》中都有,究其机理可能还得追溯到《半导体物理》和《半导体制备》,再要寻根问底的话还会把《量子物理》请出来作证。<br />德国工科不错,他们非常强调这种“末端细节”,这确实是我们所要学习的,但这不是全部。象我们学校新生一年级入学,只分大科而不分专业。
木头东瓜 发表于 2007-9-7 08:07 | 显示全部楼层

老王

你咋不来抽抽哦<br />电力电子你可是搞了一辈子的<br />嘿嘿
HWM 发表于 2007-9-7 08:22 | 显示全部楼层

另外还想在此多说一句:

德国人还有许多值得我们学习的东西,他们的“认真”,“踏实”,“规范”等品质是我们所缺乏的,这是一种“精神”。
pengjianxue 发表于 2007-9-7 09:34 | 显示全部楼层

强顶HWM

<br />&nbsp;楼主只强调了&quot;电力电子&quot;或&quot;电力半导体&quot;单一学科或单门课的知识,在国内相关专业教材上都有.<br />问题是,产品的开发,尤其复杂产品的开发,往往需要多学科的综合知识及创新能力.对于大多企业来说,更需要的是经验和实战能力,&nbsp;基础理论的研究一般是理科大学和研究院所的事,企业不需要研究证明相对论.对工程师来说,需要具有理论研究能力(而不一定是全面的理论知识)和掌握前人的结论及创新能力,同样一般情况下不需要追究所有结论的来由,那样的话,还没等到将所有理论结论的所以然都研究透了,一辈子已经结束.<br /><br />彭建学&nbsp;&nbsp;上海
木头东瓜 发表于 2007-9-7 09:45 | 显示全部楼层

楼上大哥每次都那么有见地啊

嘿嘿
iC921 发表于 2007-9-7 10:25 | 显示全部楼层

他确实很厉害!

  
 楼主| K.G.B. 发表于 2007-9-7 14:16 | 显示全部楼层

回复17楼的

不敢苟同。<br />“楼主只强调了&quot;电力电子&quot;或&quot;电力半导体&quot;单一学科或单门课的知识,在国内相关专业教材上都有.”<br /><br />首先,国内教材在一些细节上都是一笔代过,而偏偏这些细节在德国教材中是重点。另外,教材上有,课堂上也没有教(如punch&nbsp;through)。<br /><br />“问题是,产品的开发,尤其复杂产品的开发,往往需要多学科的综合知识及创新能力.对于大多企业来说,更需要的是经验和实战能力,&nbsp;基础理论的研究一般是理科大学和研究院所的事,企业不需要研究证明相对论.对工程师来说,需要具有理论研究能力(而不一定是全面的理论知识)和掌握前人的结论及创新能力,同样一般情况下不需要追究所有结论的来由,那样的话,还没等到将所有理论结论的所以然都研究透了,一辈子已经结束.”<br /><br />如果一个工程师从事的是初级研发,目标是“能用就行”的话,可能确实如你所说,有实际经验就够了。但是如果不知道其根本,产品是很难达到最优化的。我举一个很简单的例子。增么评估电路中一个管子的寿命是多少?如何选择散热器?电容用哪种牌子的多大容量性价比最高?这些都牵涉到定量计算。如果国内工程师不能通过理论方法解决,那就只有抄国外的设计标准或者直接抄电路了——但产品质量的差距很难缩小。<br /><br />我在欧洲一家知名的企业研发部工作了一段日子,部门的头头鼓励员工通过解析方法+画图分析问题,认为解析分析法是最好的,因为之其然并之其所以然。而不停的试验调试或者simulation,只能得到“现象”。<br /><br />我在国外4年多,感触最深的就是德国工程师的扎实基础。事实上我出的题目确实是我所在学校的基础专业课程,和system&nbsp;theory,&nbsp;EM&nbsp;feld并列为elektrotechnik专业三年级必修课程。如果要说更底层的,我承认,确实还有,德国学生在第二年整年学习的《电子学材料基础》,无论是强电弱电都必须学习。其内容重点是晶体结构,能带分析,不同频率下电介质曲线的定量计算(计算电解电容损耗的物理基础)。<br /><br />观察这个论坛,发现很多牛人确实经验很丰富。但小弟毕竟也是半个过来人,大虾们自问一下,这些经验的技术储备是多少年?如果电介质损耗原理都能明白的,给他一个损耗角的概念,他只需要几分钟就能掌握——有着扎实理论基础的工程师,他gain经验的速度是非常快的。此外,一些大公司的测试标准(我曾经看过一篇国内某工程师的测量电解寿命的标准,还颇为得意),其实并不适用于各种情况。
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