对比一下欧洲某大学的考试题，国内工程师请进！

3万 · 2007-9-10 10:59

谁都愿意精益求精
问题是
国外的企业都是合理的利润
即使现在价格降下来了
但是以往的技术积累和资金积累已经到位
国内的企业还在生存阶段
无法投入大量的金钱和人力
去精益求精

只看该作者 · 2007-9-10 17:36

电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。因而载流子在基区复合的机会减小，所以基极电流Ib随集电极反偏电压增大而减小，也就是基区有效电阻增大，因此又叫电导调制效应

只看该作者 · 2007-9-10 17:41

IGBT的并联有同型号并联，和不同类型并联两种，前者是为了增加过电流容量。后者是为了达到某种目的，比如说高速的和低饱和压降的管子并联，可以同时得到高速和低饱和压降的特性。但每个管子的驱动波型要求有延时。关于MOS的管子并联，有两个目的，一个是减小导通电阻，另一个是增大通流容量。还有一种情况是MOS管与IGBT并联，这种结构是要同时取得两种器件的优点，同上所述：要两路不同时差的驱动波型。大致就这样，还望其它高手补充。

只看该作者 · 2007-9-10 18:15

你是不是在成都念过书?

只看该作者 · 2007-9-10 18:51

由于时间关系，来不及好好翻译了。希望通过此题目得出的结论对各位工程师理解punch through技术有帮助。

3．1    mosfet。工作原理略（加信号控制的方式）。
3．2

3．3
3．4    耐压Usperr达到最大值，当掺杂浓度Nd为零。这样的话电场分布曲线（看3。2）就是平行于x轴的了。然而，当Nd＝0的时候，此材料就不含有可以自由移动的电荷。因此，这样的设计方案在实际中不可行。
3．5
3．6
3．7
3．8    当一个没有使用punch through技术的半导体，她的带电粒子正好延伸到w宽度的边缘时候，是经过优化的。在这种情况下（其实就是一端最大，达到Emax，一端为零，构成三角形，面积也就是电场关于路径的积分）。其r’d’son可以对比3。6的结果算出来（因为前提条件都是左端的电场为Emax）。

可见non-punch-through的mosfet比punch-through技术的mosfet电阻大18。5％。

相关链接:https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20079/2007910184824524.pdf

只看该作者 · 2007-9-10 18:55

由于时间关系就完全不翻译了。
讲的是如何利用已知的参数，估算器件的能量损耗，根据能量损耗再估算器件的寿命。
通过这个题目可以理解到，即使在电流平均值不变的情况下，电流纹波对于寿命影响也很大。
从题目中还能看出，器件寿命很大程度上由张缩幅度决定。

只看该作者 · 2007-9-10 18:56

相关链接:https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20079/200791018569316.pdf

只看该作者 · 2007-9-11 08:06

国内环境比较浮燥，也跟国情有很大关系。大多工程师尤其是新手沉不下去，总浮在技术表面。
做技术我个人觉得应该：进的去，出的来。
要具有开放型思维；具有综合各方面知识能力；具有把理论应用于实际的能力。
注重“一”的基础，培养“举一反三”的能力，注重事物本质，增强“以不变应万变”的能力。
有句话我觉得很有道理：能力不与经验成比例，只与你对经验的领悟程度成比例。个人品质比个人能力更重要。

呵呵，一点拙见，敬请指教！