由于时间关系，来不及好好翻译了。希望通过此题目得出的结论对各位工程师理解punch through技术有帮助。
3．1 mosfet。工作原理略（加信号控制的方式）。
3．2
3．3
3．4 耐压Usperr达到最大值，当掺杂浓度Nd为零。这样的话电场分布曲线（看3。2）就是平行于x轴的了。然而，当Nd＝0的时候，此材料就不含有可以自由移动的电荷。因此，这样的设计方案在实际中不可行。
3．5
3．6
3．7
3．8 当一个没有使用punch through技术的半导体，她的带电粒子正好延伸到w宽度的边缘时候，是经过优化的。在这种情况下 （其实就是一端最大，达到Emax，一端为零，构成三角形，面积也就是电场关于路径的积分）。其r’d’son可以对比3。6的结果算出来（因为前提条件都是左端的电场为Emax）。
可见non-punch-through的mosfet比punch-through技术的mosfet电阻大18。5％。
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