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[技术讨论] 对比一下欧洲某大学的考试题，国内工程师请进！

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hq_y 发表于 2007-9-10 10:59 | 显示全部楼层

很多是经济实力不到的缘故

谁都愿意精益求精<br />问题是<br />国外的企业都是合理的利润<br />即使现在价格降下来了<br />但是以往的技术积累和资金积累已经到位<br />国内的企业还在生存阶段<br />无法投入大量的金钱和人力<br />去精益求精
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hunter4051 发表于 2007-9-10 17:36 | 显示全部楼层

电导调制效应

电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。因而载流子在基区复合的机会减小，所以基极电流Ib随集电极反偏电压增大而减小，也就是基区有效电阻增大，因此又叫电导调制效应<br />
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hunter4051 发表于 2007-9-10 17:41 | 显示全部楼层

IGBT

IGBT的并联有同型号并联，和不同类型并联两种，前者是为了增加过电流容量。后者是为了达到某种目的，比如说高速的和低饱和压降的管子并联，可以同时得到高速和低饱和压降的特性。但每个管子的驱动波型要求有延时。关于MOS的管子并联，有两个目的，一个是减小导通电阻，另一个是增大通流容量。还有一种情况是MOS管与IGBT并联，这种结构是要同时取得两种器件的优点，同上所述：要两路不同时差的驱动波型。大致就这样，还望其它高手补充。
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newjie 发表于 2007-9-10 18:15 | 显示全部楼层

关于 hunter4051

&nbsp;<br />你是不是在成都念过书?
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 楼主| K.G.B. 发表于 2007-9-10 18:51 | 显示全部楼层

07年上半年题目第三题答案在此

由于时间关系，来不及好好翻译了。希望通过此题目得出的结论对各位工程师理解punch&nbsp;through技术有帮助。<br /><br />3．1&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;mosfet。工作原理略（加信号控制的方式）。<br />3．2&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br />&nbsp;<br />3．3&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br />3．4&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;耐压Usperr达到最大值，当掺杂浓度Nd为零。这样的话电场分布曲线（看3。2）就是平行于x轴的了。然而，当Nd＝0的时候，此材料就不含有可以自由移动的电荷。因此，这样的设计方案在实际中不可行。<br />3．5&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br />3．6&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br />3．7&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br />3．8&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;当一个没有使用punch&nbsp;through技术的半导体，她的带电粒子正好延伸到w宽度的边缘时候，是经过优化的。在这种情况下&nbsp;（其实就是一端最大，达到Emax，一端为零，构成三角形，面积也就是电场关于路径的积分）。其r’d’son可以对比3。6的结果算出来（因为前提条件都是左端的电场为Emax）。<br />&nbsp;<br />可见non-punch-through的mosfet比punch-through技术的mosfet电阻大18。5％。<br /> <br /> 相关链接:<a href='https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20079/2007910184824524.pdf'>https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20079/2007910184824524.pdf</a>
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 楼主| K.G.B. 发表于 2007-9-10 18:55 | 显示全部楼层

07年上半年题目第四题及答案在此

由于时间关系就完全不翻译了。<br />讲的是如何利用已知的参数，估算器件的能量损耗，根据能量损耗再估算器件的寿命。<br />通过这个题目可以理解到，即使在电流平均值不变的情况下，电流纹波对于寿命影响也很大。<br />从题目中还能看出，器件寿命很大程度上由张缩幅度决定。<br /><br /><br />
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 楼主| K.G.B. 发表于 2007-9-10 18:56 | 显示全部楼层

题目在此。

  <br /> 相关链接:<a href='https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20079/200791018569316.pdf'>https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20079/200791018569316.pdf</a>
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hsw_21 发表于 2007-9-11 08:06 | 显示全部楼层

广度和深度

国内环境比较浮燥，也跟国情有很大关系。大多工程师尤其是新手沉不下去，总浮在技术表面。<br />做技术我个人觉得应该：进的去，出的来。<br />要具有开放型思维；具有综合各方面知识能力；具有把理论应用于实际的能力。<br />注重“一”的基础，培养“举一反三”的能力，注重事物本质，增强“以不变应万变”的能力。<br />有句话我觉得很有道理：能力不与经验成比例，只与你对经验的领悟程度成比例。个人品质比个人能力更重要。<br /><br />呵呵，一点拙见，敬请指教！
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xzl 发表于 2007-9-11 08:44 | 显示全部楼层

都不会做

  
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hefengwei 发表于 2007-9-11 12:02 | 显示全部楼层

kgb你的理论知识是从德国学的吗？

&nbsp;&nbsp;那你就因该把你学到的东西传授给国内的我们其实我们也是很需要这样的定理计算的！！谁不想自己设计的产品最优性能最好！！一直在摸索这一直在学习这！！希望你能指点些我的邮箱是hefengwei2006@126.com
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cgkdxx 发表于 2007-9-11 12:05 | 显示全部楼层

hunter4051先生

同型号的IGBT，共用一个驱动电路，只在栅极用小电阻分出几路来，这样做怎么样？谢谢！！
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tom_xu 发表于 2007-9-11 14:17 | 显示全部楼层

老外设计的电路，确实算得很精确。

  
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 楼主| K.G.B. 发表于 2007-9-11 14:39 | 显示全部楼层

回72楼的

其实技术哪里都可以学到，ieee等网站上面就有很多精彩**。花了时间多看看就一定有收获。
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木头东瓜 发表于 2007-9-11 14:54 | 显示全部楼层

我等普通IP

IEEE根本进不去<br />嘿嘿
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lixun00 发表于 2007-9-11 15:48 | 显示全部楼层

感觉方向性很强...迷路了...

  
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老黄头 发表于 2007-9-11 16:59 | 显示全部楼层

只能对第3题回答一部分

<br />何谓电导调制？&nbsp;&nbsp;&nbsp;PN结对PN结的影响。<br /><br /><br />电流放大倍数&nbsp;=&nbsp;输运系数<b>·</b>注射比&nbsp;&nbsp;&nbsp;
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janqon 发表于 2007-9-11 21:16 | 显示全部楼层

easy

  
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szshenzhan 发表于 2007-9-12 09:10 | 显示全部楼层

每次来看都发现不少牛人

向各位前辈学习！
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huangqi412 发表于 2007-9-12 11:50 | 显示全部楼层

基本上都回答不了一点

我们学的太宽了。什么都只了解一点点。而且没有实践课程<br />
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tom_xu 发表于 2007-9-12 13:30 | 显示全部楼层

这是一个设计理念的问题，

国内的工程师设计电路，大多数凭经验，毛估估一下，最多做定性分析。<br />国外（应该是美，德，英，日）等电子工业发达国家的工程师，他们设计的电路，都经过精确的计算，做的是定量分析，所以能投入大批量生产，可靠性也很好。<br />老美的巡航导弹打得很准，跟这个理念不无关系。
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