[经验知识] 模拟电路设计思维训练用小题一个

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jz0095 发表于 2015-1-22 10:04 | 显示全部楼层
本帖最后由 jz0095 于 2015-1-22 10:10 编辑
xukun977 发表于 2015-1-19 18:50
既然天天讲模型,那就聊聊最简单,最基本,几乎任何一本模电书都会说的晶体管模型,TEE模型和混合Pi,见下 ...

question:请问上面两个模型中各个参数跟管子的物理参数(如集电机电阻rcc,正向二极管电阻rз,正向电流传递比а,等)有何关系?
比如作图的re和右图rb'e与rз有何关系?

这是器件制造专业能解决的内容。
思路:
两个模型中的等效元件是有参数的,根据混合参数h的定义,可以解出各自的h参数组。如果两个模型是等效的,两组h参数就应该接近。通过仿真,改变所关心的参数re和r’be等,使变化后的两组h参数基本相等,从中就可以找到re、r'be相互间的近似关系了。

之所以针对h参数,是因为器件设计人员掌握h参数与制造工艺间的对应关系,即改变某个h参数,需要在工艺上大致做些什么。
 楼主| xukun977 发表于 2015-1-22 14:04 来自手机 | 显示全部楼层
jz0095 发表于 2015-1-22 10:04
这是器件制造专业能解决的内容。
思路:
两个模型中的等效元件是有参数的,根据混合参数h的定义,可以解 ...

如果是这个思路,就跟器件设计无关了!列个方程,伏安相等,电子专业都能解决。

请注意:这里不是常规的求6类参数之间相互关系的问题,否则毫无意义了,许多教材都给出了个表,直接查表就行了,根本不是个问题。

我已经说了,跟物理参数之间的关系,而h参数等表示,仅仅是把管子都成黑匣子看待而已,虽然它是管子特征的完备表示,其各个参数跟物理参数之间也有必然联系,但h本身,没有什么物理意义!
jz0095 发表于 2015-1-22 14:42 | 显示全部楼层
本帖最后由 jz0095 于 2015-1-22 14:50 编辑
我已经说了,跟物理参数之间的关系,而h参数等表示,仅仅是把管子都成黑匣子看待而已,虽然它是管子特征的完备表示,其各个参数跟物理参数之间也有必然联系,但h本身,没有什么物理意义!

h参数是理论跟实践的桥梁。尽管解方程不是器件专业的专利,但是从实现方面,从为什么是h参数而不是其他参数,则离不开器件专业。
模型中各个等效元件的参数有其物理意义,是经过繁复的测量、验证得出的。以h参数为目标,仿真改变模型的元件参数,使两个模型的h参数相等,发现模型元件中的对应关系、对器件整体功能的影响等。各元件的物理意义已经存在,仿真得到的是动态的表现。
zyj9490 发表于 2015-1-22 14:42 | 显示全部楼层
xukun977 发表于 2015-1-16 10:22
要不看个具体点的电路:

肯定不行,为何呢,RBE的阻抗约300+10*50=800欧而已,B=50;R4取大了,不起作用,偏置电位不稳定。最好偏置电位主要是由R5和R4决定。
 楼主| xukun977 发表于 2015-1-22 17:04 来自手机 | 显示全部楼层
jz0095 发表于 2015-1-22 14:42
h参数是理论跟实践的桥梁。尽管解方程不是器件专业的专利,但是从实现方面,从为什么是h参数而不是其他参 ...

好吧,请问:
共射的输入阻抗hi=rb+(beta+1)re,hi的物理意义是什么???
Ie如果↑,hi如何变化?温度↑,hi如何变化?
强调:谈的是■物理■意义!!!不是数学上的等效!!!!

jz0095 发表于 2015-1-22 21:19 | 显示全部楼层
xukun977 发表于 2015-1-22 17:04
好吧,请问:
共射的输入阻抗hi=rb+(beta+1)re,hi的物理意义是什么???
Ie如果↑,hi如何变化?温度↑ ...

这不是我的专长,我只是提供一个变通的思路。
Lgz2006 发表于 2015-1-23 14:32 来自手机 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2015-1-23 11:21

你想表达什么中心意思
 楼主| xukun977 发表于 2015-1-23 18:55 来自手机 | 显示全部楼层
jz0095 发表于 2015-1-22 14:42
h参数是理论跟实践的桥梁。尽管解方程不是器件专业的专利,但是从实现方面,从为什么是h参数而不是其他参 ...

各种参数都有其优缺点,这决定了某参数只能是在某种特定场合使用才会最佳,问题来了:为何低频BJT模型最喜欢用h参数?众多好处中有一个是最适合动态测量!问题又来了,根据h参数定义,怎么就好测量了?

第二段都是个人主观臆测。什么东西有没有物理意义,还能/要通过实验测量来确定?
maychang 发表于 2015-1-23 19:30 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2015-1-23 11:21

这两页,可就有点误人子弟了。
jz0095 发表于 2015-1-24 00:09 | 显示全部楼层
各种参数都有其优缺点,这决定了某参数只能是在某种特定场合使用才会最佳,问题来了:为何低频BJT模型最喜欢用h参数?众多好处中有一个是最适合动态测量!问题又来了,根据h参数定义,怎么就好测量了?

第二段都是个人主观臆测。什么东西有没有物理意义,还能/要通过实验测量来确定?

喜好用h参数有历史原因,h是早期的测量技术条件,因此频率低,一般到百MHz左右。说“h参数好测量”是相对于纯开路条件的Z参数和纯短路条件的Y参数而言。h参数在低阻端采用开路条件,在高阻端采用短路条件,相对于单一的开路或短路条件,h的混合测量条件更合理,结果更准确。

说到“主观臆测”,模型的参数不通过测量的确定范围才是主观臆测。
Lgz2006 发表于 2015-1-24 10:54 | 显示全部楼层
《电晶体电路应用技术》显然与《铃木》一书如出一辙,不仅出版年代相仿,适用人群也一致,均为“业余电子爱好入门”,所存在问题一点儿不亚于铃木——都未达细致精准
无论读者何等学历资质,入得门后都要尽快转入正轨,系统规矩地学习

75楼所截图4-4电路中之旁路C,必将产生负向自生偏压——除去A类之外——引起更大失真
图3-14之变压器,作“隔离、变压(变阻)是毫无问题的”,唯“匹配”一说,却不一定是与“信号源内阻”的

老九与俺应无大差别——至少都认为“从保真出发,还是希望有相当值的Rs(Rb)的”,就此不再做论证和验证了

h参数当与Y、z等参数应该不存在早晚之别,这里讨论也无适用上的意义
maychang 发表于 2015-1-24 11:14 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2015-1-24 10:54
《电晶体电路应用技术》显然与《铃木》一书如出一辙,不仅出版年代相仿,适用人群也一致,均为“业余电子爱 ...

好像还不如铃木雅臣那本。
至少铃木雅臣那书中没有图4-4里面的电容C。
 楼主| xukun977 发表于 2015-1-24 11:42 来自手机 | 显示全部楼层
jz0095 发表于 2015-1-24 00:09
喜好用h参数有历史原因,h是早期的测量技术条件,因此频率低,一般到百MHz左右。说“h参数好测量”是相对 ...

展开多说点:如何开短路?为何?具体操作多说点。
jz0095 发表于 2015-1-24 16:21 | 显示全部楼层
xukun977 发表于 2015-1-24 11:42
展开多说点:如何开短路?为何?具体操作多说点。

下命令哪?
 楼主| xukun977 发表于 2015-1-25 08:47 | 显示全部楼层

很多说模电没什么意思,就说了那点东西,更有人用一个公式就把所有模电知识一窝端了(模电=功能*模型??)

实际上,再简单的问题,只要问个为什么,就会发现陌生了,不知所措了,没思考过了。
我准备了100多个为什么,只是问个为什么,估计很多人不喜欢了。作罢。

上面问题简单两点:
1,理论上6种等效是等价的,可以相互转换的,但是站在测量精度的角度看,哪种或哪几种参数的曲线更smooth就选它,然后再看操作容易程度。
2,注意线性和非线性定义的不同,h11=e1/i1|e2=0是线性定义。
路过打酱油。。 发表于 2015-1-25 09:48 | 显示全部楼层
xukun977 发表于 2015-1-25 08:47
很多说模电没什么意思,就说了那点东西,更有人用一个公式就把所有模电知识一窝端了(模电=功能*模型?? ...

把我滴公式给引错了,少了个“电路”。

难怪,会问出如此滴问题

R4为何取100欧?如果把R5改成47k,R4=1k,好不好?


其它的什么器件模型和参数之类的就不说了,基本是惨不忍睹....
 楼主| xukun977 发表于 2015-1-25 11:05 来自手机 | 显示全部楼层
路过打酱油。。 发表于 2015-1-25 09:48
把我滴公式给引错了,少了个“电路”。

难怪,会问出如此滴问题

你就善于插科打诨,营造娱乐气氛!所以站里特意弄个pk版给你专用,你不来大伙就没话题了,寂寞!
Lgz2006 发表于 2015-1-27 08:22 来自手机 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2015-1-26 21:40
打从开始就知道你质疑自生负向偏压,也一直多让你有仔细思考的时间,之后翻书找个观点与我相附的给你再多 ...

喜欢这样讨论问题
一般情况下,确实存在“不至于严重降低偏置电压”的实际情况,但你应注意2点:
1.可以预判,当语音信号从大幅度快速回落至微小幅度时,交越失真必将显现。
2.前面已明确指出,一定的Rs或Rb对保真指标是有利的。
因此经典电路中便没有了电容器C4

其次,"甲类无自生负压"你应该能理解,否则就不是甲类了——除非超限输入,将产生负偏阻塞——模界人都知道的

长途车上,不多说了
gx_huang 发表于 2015-1-27 08:43 | 显示全部楼层
讨论过时的技术,还以为只有自己懂,别人都不懂。
maychang 发表于 2015-1-27 09:08 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2015-1-27 08:22
喜欢这样讨论问题
一般情况下,确实存在“不至于严重降低偏置电压”的实际情况,但你应注意2点:
1.可以预 ...

“当语音信号从大幅度快速回落至微小幅度时,交越失真必将显现”
这一点非常正确。
考虑失真,不仅仅考虑稳态,而要考虑动态。音乐中,信号幅度从非常大到非常小是很常见的事,例如打击乐器的一击,定音鼓、锣、镲,甚至柴科夫斯基“1812序曲”中的大**等,信号从非常小到非常大又恢复到非常小。从非常大到非常小,变化可达80db以上甚至更大,这种情况恢复到很小信号时必有交越失真。
甲类放大当然也有自生负偏压现像,拿块电流表量量就知道,表针会微微摆动。但此现像相当轻,不致于很强信号突然变化为很弱信号时产生交越失真。
也只有那位“教授”才会拿电容耦合的推挽放大器去申报专利,而当各位网友指出之后又改口说是甲类工作。
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