[技术问答] Nuvoton的Flash读写次数大概是多少次?

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 楼主| ssmm1228 发表于 2018-6-11 17:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
具体MCU型号是Nuvoton M451LC3AE,请问flash的读写次数是多少次?10万?100万?技术手册上没有看到这个参数。
xuanhuanzi 发表于 2018-6-11 17:34 | 显示全部楼层
好像是100万次,不过10万次内百分百没有问题。
xuanhuanzi 发表于 2018-6-11 17:35 | 显示全部楼层
这个指标好像是在数据手册里
tianxj01 发表于 2018-6-11 17:47 | 显示全部楼层
Flash写次数为100,000次
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 楼主| ssmm1228 发表于 2018-6-11 18:05 | 显示全部楼层
xuanhuanzi 发表于 2018-6-11 17:34
好像是100万次,不过10万次内百分百没有问题。

ok,谢谢。
 楼主| ssmm1228 发表于 2018-6-11 18:05 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2018-6-11 17:47
Flash写次数为100,000次
本段文字复制自官方说明文档

ok,谢谢
yingtexin 发表于 2018-6-11 20:48 | 显示全部楼层
FLASH的标准,10万次。
langziwuliao 发表于 2018-6-11 21:47 | 显示全部楼层
官方的flash单片机都是十万次,足够你把这个芯片虐千百遍了
 楼主| ssmm1228 发表于 2018-6-12 08:51 | 显示全部楼层
langziwuliao 发表于 2018-6-11 21:47
官方的flash单片机都是十万次,足够你把这个芯片虐千百遍了

主要是拿来当EEPROM用
yiyigirl2014 发表于 2018-6-13 11:53 | 显示全部楼层
数据手册有,100万次
xuanhuanzi 发表于 2018-6-14 11:16 | 显示全部楼层
1 简介
EEPROM具有可byte write/byte read以及高达百万次可靠的擦写次数,通常被使用者用来存放
程序中会时常变更的非挥发性资料。对于单晶片产品,通常不具有内建的EEPROM能够提供给使
用者,而是基于Flash来存放使用者的资料。但是Flash的擦写次数无法与EEPROM比拟。
现在我们提出一个机制,能够组合两个page以上的Data Flash来模拟EEPROM使用,使用SRAM加
速读写资料的速度、能够达到百万次可靠的擦写次数、记录擦写循环次数,并且可以将资料量
分成数个较小的资料群以减少Data Flash page数量。
xuanhuanzi 发表于 2018-6-14 11:17 | 显示全部楼层
在这个应用手册里
http://www.nuvoton.com/resource-files/AN_0012_Using_DataFlash_to_Emulate_as_EEPROM_SC_Rev1.00.pdf
dongnanxibei 发表于 2018-6-17 09:48 | 显示全部楼层
基本上你不用担心写坏。
newiot 发表于 2018-12-19 12:45 | 显示全部楼层
有这个说明的M4源代码吗?
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