问答

理论是最优美的图画如果看不懂本贴所言，肯定看不懂教科书上关于振荡器的必要条件：【如果环路增益有两个极点，而无零点，振荡是不可能的】也就是说，正确设计的振荡器，其环路增益的零极点分配图应该为：为何必须有个零点？？？？？？原因很简单，振荡器电路的激励是直流电源DC，如下图所示，而振荡器能振荡，通常是指输出频率不为零的各种波形，很明显这要求振荡器电路只能有自然响应，而无强迫响应。要想没有强迫响应，振荡器网络必须提供个零点，来抵消激励的极点（原点处）

永磁有刷直流电机，当由于惯性或外力驱动旋转时，就是一个发电机。如果提供电压，则就是一个电动机。比如供24V时空载转速达到最大值，则感应电动势Ev=24-I*R，I为电流，R为等效内阻。假设由于惯性或外力驱动，其转速不高于空载时转速，则其反电动势就不会比24V高。要回收能量，就要用升压装置。

加隔直电容就好啊或者铁芯加一点点气隙

嗯嗯谢谢你我再去找找问题

喔，那就是短路了嘛

手册和介绍有没有，分享分享。官网没放出来太多内容。。

什么是协议芯片QC2.0,QC3.0,FP6601,HL6601一，什么是快充及快充目前的主要协议版本有那些？快充是高通引导的一种充电方式标准,其主要是通过改变电压和电流的方式来提高充电功率,从而在保持相对低的温度情况下缩短了充电的时间。利用快充技术可以在30分钟内将一部手机的电池充到一半，可以支持5v，9v和12v的电压和1-3A的大功率输出，所以很多手机厂商都采用这种快充技术，很多车载充电器厂家也都将这种快充技术应用到车载充电器产品上，还有USB插板充电宝等很多需要充电的产品大大减少充电需要等待的时间,让越来越多的消费者体会到了快充带来的方便,极大的提升了用户的充电体验。目前主要的协议有QC2.0QC3.0,ClassA和和ClassB,华为FCP,华为SCP，三星AFC/2.0，APPLE2.4A，BC1.2:D+与D-，选主要及主流的介绍如下：QC2.0可以在30分钟内充满一部手机电池的一半，QC3.0能在35分钟左右将一部手机的电量从零电量充至80%，这就是为什么和QC2.0相比充电效率提高了38%，充电速度最高提高达到27%，也意味着减少功率损耗最高达45%。QC3.0（QuickCharge3.0）快充技术，号称比QC2.0效率提升38%，快速充电速度最高达27%，同时帮助保护电池寿命周期Q。C3.0首次采用“最佳电压智能协商”(IntelligentNegotiationforOptimumVoltage，INOV)算法，可以在任意时刻实现最佳功率传输，而且功率最大化。两者的区别:充电速度方面：QC2.0可以在30分钟内充满一部手机电池的一半，QC3.0能在35分钟左右将一部手机的电量从零电量充至80%，这就是为什么和QC2.0相比充电效率提高了38%，充电速度最高提高达到27%，也意味着减少功率损耗最高达45%。此外，QC3.0能够与QC快充之前的版本及充电器(包括USBType-C)前向和后向兼容，并且拥有同样的超快充电速度，以及独立电路，为OEM厂商提供更灵活的选择，还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。目前快充主要在消费类电子应用的有手机充电头移动电源充电宝快充车充智能插板U

可以加一下我235557320819925268582

好方法！

当然可以用DAC输出视频信号（Video），电视游戏机不就是这样的么？比如标准电视机信号的视频信号是6MHz的，你只要按视频信号的格式发出就可以了，包含场同步、行同步、颜色同步、图像信号等等好像超过10种信号。超过20年没整过电视机了。

先睡一觉，做个梦，什么都会了。

下午把自己做的电磁炉上电了，后来经过一番折腾，明白了：1，单片机输出的PWM的频率跟IGBT的工作频率没有关系；2，IGBT工作时不用去管它的工作频率，因为；3，发热很厉害，必须加风扇加散热器；4，让振荡器工作，先让单片机输出一个扰动，如果加热盘上面放了铁磁性的锅，则扰动信号导通了IGBT后，LC发生谐振或者类似的电流振荡，这个就是信号起振的条件；5，后面基本没啥说法。第一次做电磁炉，纪念下。

收到谢谢

谢谢，找不到，在自己搭电路

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。二者的主要区别就是：双极型管是电流控制器件（通过基极较小的电流控制较大的集电极电流），MOS管是电压控制器件（通过栅极电压控制源漏间导通电阻）。MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速