互感耦合振荡器029
这是波形Ib的一个特写。 我想说明一点:负向电流(-Ib)是在晶体管饱和期间基区存储的电荷中和形成的。只有当基区存储的电荷逐渐消散以后,Ic才会由Icmax逐渐下降到0,即Q由饱和转换到截止。 晶体管的饱和程度越深则在基区存储的电荷越多,则Q由饱和到截止的过渡时间越长(或者说关断时间越长)。 基极电流出现上冲过程,一方面由于Vin本身有一个上冲;另一方面由于电路的分布参数(包括测量仪器的分布参数)的影响。 晶体管由截止到饱和的过度时间(开启时间)比其由饱和到截止(关断时间)要小一些。 此外还有信号的延迟时间等参数,有兴趣的朋友可以参考相关教材、书籍。 欢迎大家批评、指教!
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