是你让我看透生命这东西四个字 **到底

发表于 2008-8-31 08:04

大家早安！ 我觉得论述清楚388楼的电路并非易事，它需要一定的基础知识储备。 那我们就从最基础的开始认识吧！因为我们都是新手吗，哈哈。

发表于 2008-8-31 08:30

这个电路我们用来学习一下晶体管的开关特性。

发表于 2008-8-31 08:43

请大家注意，这个电路是实际放出来的。信号源Vs是用555时基电路做的，我想大家对555电路是很熟悉的。我们就不在此介绍了。 这是实际电路，请大家注意。

发表于 2008-8-31 08:46

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发表于 2008-9-1 03:06

这就是401楼输入信号Vin的波形了。 大家可以发现它的上沿有一个过冲。

发表于 2008-9-1 03:16

我们来说明一下几个概念。 大家看这个Vin信号的特写： 脉冲上升时间和脉冲下降时间是相对短暂的。信号由高电平（稳态）变化到低电平（稳态），是一个暂态的过程也是一个非稳态的过程。信号由低电平的稳态变化到高电平的稳态也是一个过渡过程，同样是非稳态的瞬态过程。 请注意，这里的稳态是指信号稳定后的状态。

发表于 2008-9-1 03:26

这个波形是输出信号Vout的波形。 这个电路其实很简单（不包括555电路的话）其实它就是一个反相器。反相器的输入与输出之间的关系我想大家都很清楚了，大家也可以通过波形的对比来发现它们之间的差异与联系，嘿嘿。 这个Vout的低电平约等于0V，高电平约等于5V（Vcc）。

发表于 2008-9-1 03:50

这个波形是Vout由高电平变化到低电平的特写。 我们可以看到，Vout的下沿是很陡峭的（很迅速）几乎看不到示波器的扫描轨迹。 需要明确的是：Vout在高电平期间晶体管处于截止状态的，集电极电流是很小的约等于0，即Ic=0（Q截止时）。

发表于 2008-9-1 04:03

这个就是Vout的上沿波形了。 从图中可以明显的发现（与下沿时相比）上沿时间（上升时间）要比下沿时间长（示波器的扫描线很明显）。 在这个电路中我们人为的设置Q处于深度饱和状态，饱和电流约等于Vcc/Rc=5mA（这可以通过计算Q饱和期间的Ib、Ic推算其饱和程度）。由于Q深度饱和时，基区会存储大量的电荷，因此使Q退出饱和的时间变长。

发表于 2008-9-1 04:14

有一点需要着重指出： 脉冲信号的3dB带宽与信号的上升时间（或下降时间）的关系， 脉冲信号的3dB带宽=0.35~0.45/上升时间（或下降时间）。 对于上冲较小的脉冲系数取0.35；对于上冲较大的脉冲系数取0.45。 显然，脉冲的上沿时间（即上升时间）或下沿时间（即下降时间）越短则信号的频谱越宽。 以上参考：《脉冲与数字电路》陈传虞 主编 高教出版社出版

发表于 2008-9-1 04:22

这就是集电极电流Ic的波形了。 大家可以看到Ic也是一个脉冲电流。Icmax=Vcc/Rc=5mA;Icmin=0。 Q饱和时Ic=Icmax，Q截止时Ic=Icmin。

发表于 2008-9-1 04:31

这是Vbe（=Vb-Ve）的波形。 大家可以看到它也是一个脉冲信号波形，Vbemax=Vbe(sat)=0.8V；Vbemin=Vinmin=0V。

发表于 2008-9-1 04:42

这是通过取样电阻Rb1测得的基极电流波形，它有一定的上冲和下冲过程。 可以发现：基极电流有一个负向的过冲。也就是说在Vin跃变到0V后，Ib会出现一个反向的电流。 注意这里Ib的正向电流的方向是由基极b流向发射极e。

发表于 2008-9-1 05:21

这是波形Ib的一个特写。 我想说明一点：负向电流（-Ib）是在晶体管饱和期间基区存储的电荷中和形成的。只有当基区存储的电荷逐渐消散以后，Ic才会由Icmax逐渐下降到0，即Q由饱和转换到截止。 晶体管的饱和程度越深则在基区存储的电荷越多，则Q由饱和到截止的过渡时间越长（或者说关断时间越长）。 基极电流出现上冲过程，一方面由于Vin本身有一个上冲；另一方面由于电路的分布参数（包括测量仪器的分布参数）的影响。 晶体管由截止到饱和的过度时间（开启时间）比其由饱和到截止（关断时间）要小一些。 此外还有信号的延迟时间等参数，有兴趣的朋友可以参考相关教材、书籍。 欢迎大家批评、指教！

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大家先分析一下，俺先去讨饭了，回来在和大家一起学习，

楼主声明1：本人一切言行谨做为您参考，不足为据，请慎用

楼主声明2：水平有限，错误难免。欢迎大家批评、指教！

楼主声明3：我的目的是共同学习、共同进步，并无其它任何

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