HFE离散性随温度升高而增大，这个好理解,但随Vce的增大而增大,不太好理解?假如一个三极管设置静态工作点处于放大状态,那么当输入信号IB减小的时候,IBxHFE=IC信号也减小,导致Vce增加,那么这时HFE也增加?,当输入信号IB ...
live21ic 发表于 2012-1-8 21:21 ![]()
不知道你是否看过集成电路，首先，当三极管处于一定电流强度且为放大区时，其电流放大倍数Beta依旧是一个变化的范围，不过范围比较小，比如 90~110，而工程误差允许的范围内，我们一般就认为此情况下该三极管的Beta为100，但不要纠结于这个“固定的数值100”；其次，不考虑温度等，lymex所述的放大区的三极管“VCE增加时，HFE亦增加”说明的是三极管的“厄力效应”问题，即增强了的CB结的耗尽区“消耗”了部分基区宽度，，同样的IB条件下，如对NPN,基区内（来自发射区的电子流）被复合掉的部分相对的就少了，那么此时的集电极电流相对就变大了，但是变大的量并不多，在本帖的应用里，你可以忽略掉它的影响。 |
