基于氮化镓 (GaN)的小型12V实验电源
传统的12V，2A以上电源，体积都比较大，加上厚重的散热模块，不便于小集体化，利用TI提供的氮化镓 (GaN) FET 系列产品，因其具有集成的栅极驱动器，可提供高效的 GaN 解决方案、使用寿命可靠性以及成本优势等优势，GaN 晶体管的开关速度可能比硅 MOSFET 快得多，因此可以实现更低的开关损耗，从而带来更高的功率密度，更小的体积。
LMG3411R150具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR150 600V 150mΩ GaN，满足日常大部分的实验需求。LMG3411R150具有与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能，低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局，可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制，数字故障状态输出信号。再参考TI的应用设计，配合 UCC28780 有源钳位反激式控制器，很容易实现60W的应用。
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