本人倾向于 LMG341xR150 该IC具有集成驱动能力和保护功能其较为具体的特性共计有以下这几点
• TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试• 支持高密度电源转换设计– 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能– 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局– 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制– 数字故障状态输出信号– 仅需 +12V 非稳压电源• 集成栅极驱动器– 零共源电感– 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率– 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性– 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率– 逐周期过流保护• 强大的保护– 无需外部保护组件– 过流保护，响应时间低于 100ns– 压摆率抗扰性高于 150V/ns– 瞬态过压抗扰度– 过热保护– 针对所有电源轨的 UVLO 保护
准备按照其基本原理设计图 略加修改进行下一步的设计工作
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