问答

汇集网友智慧,解决技术难题

  • 双管反激变压器MOS管发热 sos

    小弟目前这个双管反激电源是140V-420V输入,48V(0.83A)和15V(0.33A)输出,电流峰值反馈型,1.5:100的电流互感器做电流采样,使用美磁铁镍钼磁芯做反激变换器,外径大概在23mm,设计出来初级175T(1.28mH),48V路73T,15V路23T。目前出现的问题是反激变压器温升很快且很大,室温能到100℃+,其中一个MOS管温升大概在50℃,另一个正常20℃。目前贴出了初级电流的波形,在不同输入电压下。对了目前测试用的电阻做假负载,满载功率是40W,现在带载约40%。

  • GD32的安全保护功能 sos

    大家好,请教个技术问题啊,GD32芯片的安全保护功能(将SPC字节和它的补字节被设置为0x5AA5,flash处于非安全状态),请问我是否可以把其中一部分页设置为安全模式,另外一部分页设置为非安全模式呢?

    技术交流 保护功能 pc 芯片 flash

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  • tyw 回答了该问题

    HK32F1X库文件 sos

    https://bbs.21ic.com/icview-3033686-1-1.html?_dsign=7869e377HK32F0xx最新库文件--标准库函数版

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  • GD32FFPRTGU6 DSP指令集和专用浮点运算单元(FPU) 的使用方法 sos

    全新GD32FFPR系列指纹专用MCU采用168MHz高性能ARM®Cortex®-M4内核,提供了完整的DSP指令集和专用浮点运算单元(FPU),可直接支持三角函数、滤波和卷积等复杂运算以加快指纹算法执行速度。内核访问闪存高速零等待,最高主频下的工作性能可达210DMIPS,CoreMark®测试可达565分。从而以增强的动力支持高级指纹识别运算的全过程,包括指纹图像预处理、分割拼接、数据特征提取、特征匹配、交叉比对、识别解锁等一系列指令,更可显著提高指纹注册和匹配效率。芯片更配备了1MB的大容量内置Flash和多达128KB的SRAM,可支持多枚指纹信息存储和动态分配内存等识别过程的资源开销。(以上文字来源:https://www.21ic.com/np/mcu/201707/727572.htm)请问哪位知道1.这款芯片的DSP指令集是否就是ARM官方提供的DSP指令集?2.专用的FPU有什么特殊用法吗?3.这款芯片与STM32M4系列的单片机相比,使用DSP库的方法是否完全一样?

    芯片 指令集 GD32FFPRTGU6 DSP 指纹 芯片

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  • HK32F103C8T6使用SPI作为从机接收异常 sos

    HK32F103C8T6使用SPI作为从机,下载程序后,断电重启后,SPI直接异常,接收数据为全0;使用keil仿真器下载,复位,SPI能正常接收数据,但运行不到一分钟后接收数据为全0,且一直不能恢复,使用STM32正常,没有这个问题。请问这种问题怎么解决?

    单片机 HK32F103 spi ST 断电 仿真器

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  • 急,求助Android服务器的xml.xml写法 sos

    xxxsssxxx14xxxsssxxx在第14行报了个错Themarkupinthedocumentfollowingtherootelementmustbewell-formed.怎么解决?我这个好像是个web项目,又好像是个Android服务器,总之客户端连不上,提示说服务已开启了。

    软件技术交流 Android ST TE win root

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  • 我的ad0809模块EOC一直处于低电平 sos

    做学校的电子设计竞赛要做一个电压测量器,想使用ad0809模块去做,ad0809的IN0口外接了一个ne555信号发生器,单片机使用的是STC89C52RC,输入地址位使用模块上的跳线帽选择了IN0,设备的其余部分还没有加上去,但是测试的时候发现程序一直卡在“while(EOC==0)”这个地方无法继续运行,想请求各位大佬看看可能是什么问题,万分感谢!#include#defineuintunsignedint#defineucharunsignedcharuintvolt=0;//电压值测定值sbitCLK=P2^7;//时钟信号sbitSTART=P2^4;//转换启动开关sbitEOC=P2^5;//转换结束标志sbitOE=P2^6;//定义ADC0809各脚voiddelay(uintx){uchary,z;for(y=x;y>0;y--)for(z=250;z>0;z--);}voidADC(){EA=1;//开中断OE=0;//确保进入正常AD转换状态START=0;delay(10);START=1;delay(10);START=0;//ad开始转换while(EOC==0);OE=1;EA=0;//关中断volt=P0;//获取转换值保存到volt中,(P0为转换后数据)volt=volt*196;OE=0;//输出转换结束(要在获取转换值之后)}voidtimer()interrupt1{TH0=(65536-2)/256;//重装计数初值TL0=(65536-2)%256;//重装计数初值CLK=!CLK;//取反}voidmain(){TMOD=0X01;CLK=0;TH0=(65536-2)/256;TL0=(65536-2)%256;ET0=1;//开定时器0中断TR0=1;//开启定时器0*/while(1){ADC();//调用模数转换程序}}

    ad0809 电平 ST start dc While

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  • 关于AT32F403ARGT7替换STM系列F4芯片的 ,DSP库支持 sos

    想咨询下,在替换STM32F405系列的单片机的时候,外设和控制程序并不担心;但是由于产品中使用了大量的官方的DSP库,例如FFT库和conv库;雅特力AT32F403的话,是否有对应的可以直接调用的这种数学库,可以直接使用的呢

    AT32F403A 雅特力 STM替换 DSP库 STM 芯片

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  • hc32f005p6ca开发 sos

    使用hc32f003c6pa,keil开发环境,DAP调试器,不能识别芯片,提示swd/jtagcommunicationfailure。使用jlinkv8也是一样。也降低过速率,都无法识别。芯片是新的,第一次上电。确认调试器正常,芯片供电3.3v正常。没有外部晶振,外围只引出了两个串口,基本是最小系统。

    调试器 芯片 HC keil JTAG 调试

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  • 无损压缩算法-AT403A sos

    链接:https://blog.csdn.net/qq_34254642/article/details/104717110无损压缩算法—miniLZO在AT403上面是ok的,跑在AT403ACGU7上就不行,求FAE

    无损压缩 ni MiniLZO AC

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  • 将代码放入MCC生成的16bit的bootloaderAPP中,发生如下错误 sos

    编译出现如下错误,请问有经验的大神吗?nbproject/Makefile-default.mk:541:recipefortarget'dist/default/production/APP_804.X.production.hex'failedmake[2]:Leavingdirectory'C:/Users/Administrator/Desktop/test/APP_804/APP_804.X'nbproject/Makefile-default.mk:90:recipefortarget'.build-conf'failedmake[1]:Leavingdirectory'C:/Users/Administrator/Desktop/test/APP_804/APP_804.X'nbproject/Makefile-impl.mk:39:recipefortarget'.build-impl'failedbuild/default/production/main.o:LinkError:Couldnotallocatesection.text,size=150PCunits,attributes=codebuild/default/production/code/flash.o:LinkError:Couldnotallocatesection.const,size=128PCunits,attributes=psvpagebuild/default/production/mcc_generated_files/clock.o:LinkError:Couldnotallocatesection.text,size=110PCunits,attributes=codebuild/default/production/mcc_generated_files/system.o:LinkError:Couldnotallocatesection.text,size=42PCunits,attributes=codebuild/default/production/mcc_generated_files/traps.o:LinkError:Couldnotallocatesection.text,size=24PCunits,attributes=codebuild/default/production/code/Key1650.o:LinkError:Couldnotallocatesection.const,size=22PCunits,attributes=psvpage

    代码 App Bootloader TE TI IO

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  • HK Config擦除读保护失败 sos

    HKConfig下载HEX文件前需要擦除器件读保护但在optionbytes页面擦除读保护失败,是我擦除页面哪里没有设置正确吗?

    单片机 CONFIG hkc IO optionbyte Optionbytes

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  • 电机开发板获取,散热风扇 sos

    我看贴吧里面有人评估电机开发板,这个是领取的吗,在哪里能够获取?我想用于汽车散热风扇研究,电动汽车可以24V低压风扇,如果可行想使用600V高压风扇。有没有做过。

    开发板 电机 汽车 低压 电动 电动汽车

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  • 这是STM32读Flash的“read disturb”现象吗? sos

    我在使用STM32F4中发现另一个奇怪的现象。我用STM32F407VGT6作为数字控制电源的处理器。将ADC转换系数存在Flash中。例如:VolCoeff1=(*(s32*)VOL1_COEFF_ADDR),VOL1_COEFF_ADDR为Flash地址。则真实的电压为therealvoltage=VolCoeff1*ADCdigitalvalue在TIM2定时器中断(15kHz,66.7us)中读取系数,用于真实电压/电流的换算。因为有十几个ADC转换系数,因此每小时读Flash的次数超过7亿次。后来发现:(1)存在用户Flash区域中的ADC转换系数有的变为0(转换的真实采样值变为0,并且在Keil内存Watch窗口可以看到)。(2)此外,有的系数在对过程中是不断变化的,这个在Keil内存Watch窗口中也可以观察到(写flash的指令都被屏蔽了)。在重新刷写相应的Flash数据扇区后,系数都能恢复正常。上述现象与很多文献所说的readdisturb(就是过量读操作可能导致Flash数据改变)比较吻合。但我现在也不能完全确定。内核在程序存储区取指令应该也是一种“读”操作吧,这与访问用户自定义的Flash数据区有什么区别吗?希望有大神能给于解释,不甚感激!!!

    AD flash STM32 ADC dc DC转换

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  • 1602液晶下拉电阻 sos

    1602液晶第六脚使能脚加下拉电阻,不就一直低电平,怎样进行上升沿。(P1端口上电默认高电平)

    液晶 电阻 下拉电阻 电平 端口

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