第一点,Ib变化多端,一个是说不同的IC,尽管是同型号同批次的,Ib可能相差很大。另一个是,Ib随外界条件的变化(例如温度)变化会很大,比如下图是LMC6062的Ib随温度变化的曲线,60度的Ib是25度的10倍了!
其它的变化,例如不同共模电压时Ib变化也可能很大。静态偏置电流和运放的输入电流是一个东西,就是Ib。
“在开环下静态偏置电流决定运放差模输入信号的范围”,这句话是有误解的,因为运放本身不存在差模输入信号范围,因为+和-两个输入端可以认为总是相等,或者说是输出除上开环电压增益,是很小的(微伏级),而且这个输入与Ib没有关系。
MOS运放的开环放大倍数,与双极型的,都有很大倍数的,与Ib无关。
第2点,R5是提供外加测试电流的,如果要观察Ib,那么必须把R5开路。R5开路后,理想情况下输出是地电位;不理想的情况下,由于Ib流过反馈电阻,会产生压降,这个压降多大,输出就是多大(只差了一个Vos)。 |