楼主 你好·按楼主的方法反馈电阻用20M,102CBB电容,1M的保护电阻,运放采用OPA445,实验电源供+-15V;静态的失调电压达到了180mV;减小RF或者减小保护电阻失调电压都将减小;这个失调电压是怎么影响的呢?是Ib影响的吗?Ib*BF?测试的时候,用实验电源+大电阻的方式测小电流测得结果和计算值还是符合的,但测MOS管得DS漏电时,Vds还没加到100v,运放输出就饱和了,(典型值是Vds=600V;Idss=100nA;Vgs=0V)测IGBT漏电也是一样的情况。测MOS的Igss,时候输出一直是静态的失调电压(典型值是Vgs=30V;Igss=10nA;Vds=0V)。楼主的电路是不是可以直接移植过来测MOS或者是IGBT的漏电呢?测这些功率管得漏电要注意些什么呢·?楼主有没有自动测量功率管参数方面的参考网站?静态动态的都可以,呵呵 ·我都觉得我有点过分哈··:)主要想参考引线屏蔽方面呵呵· |