我仿真中的善意:
1,IEC61000-4-4规定:干扰试验耦合电容33nF(33000pF),而我仿真中只用了10pF!,小了3300倍!
2,高压干扰地与差分电路地间用了仅10pF隔离,而不是直接相连!
3,差分电路输入线的分布电感极夸大的用了20mH!
4,分布电容和干扰耦合电容的ESR、ESL分别极夸大 的用了1k欧和1mH!
5,仿真用的高压脉冲:上升沿5ns,下降沿20ns,宽度50ns,脉冲间隔15ms。
如此善意的仿真,都证明了我的观点:
与外界接口的差分电路的共模抑制电容很重要。 |
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原来是这样的原理。我只是对multisim软件熟悉点,对电磁兼容实验经验为零。
看了本大师不假装离开,你是不会出现的! 看此招屡试不爽!