阅读华中科大《电子技术基础(模拟部分)》应注意的二、三事

只看该作者 · 2013-8-30 21:12

xukun977 发表于 2013-8-30 18:15
康华光这个图，比你那个靠谱多了：

103楼上载的图5.1.4是一幅正正规规的插图，你这个是插在表格里的一幅幅小示意图。
究竟哪个更靠谱，人人都有眼珠！

只看该作者 · 2013-8-30 21:14

天天争这个，没意思。貌似***又复活了？

只看该作者 · 2013-8-30 21:23

duckduckgo 发表于 2013-8-30 21:14
天天争这个，没意思。貌似***又复活了？

这话讲的真逗，***一直活得美美好好滋滋润润快快活活的。
在模拟电子学领域，maychang出的难题困不住***。***给maychang提的问题，或者maychang自己许诺的，maychang千思万想也还是闷在鼓里。
像maychang许诺的用少子漂移与多子扩散平衡论计算自由pn结Uho、正通pn结Uh，maychang许诺的用集电极曲线族计算放大器最大不失真输出电压摆幅Uommax，maychang都还闷在葫芦里。
xukun977等几个与maychang摽在一起，也还是渺无音信。

只看该作者 · 2013-8-30 21:25

maychang 发表于 2013-8-30 18:45
贴两幅稍微清楚一些的。

103楼是管子的转移特性曲线，您这是输出特性曲线。有你这样歪楼的吗？

只看该作者 · 2013-8-30 21:26

maychang 发表于 2013-8-30 18:59
生产厂家给出的曲线，是实测的结果。
再贴一幅另外一个型号的。

103楼是管子的转移特性曲线，您这是输出特性曲线。你这歪楼的水平也真够逗人了。

只看该作者 · 2013-8-30 21:27

xukun977 发表于 2013-8-30 18:56
其实这根本就不是个问题，因为model有了，只要取个典型值，用软件直接搞出来了：

你唠唠，你这个第一幅图，与103楼的图有啥子本质区别呢？

只看该作者 · 2013-8-30 21:28

xukun977 发表于 2013-8-30 19:14
上面说的是教科书上用的经典level1模型，实际管子特性比这复杂几十倍，管子模型用了200多个参数进行拟合优 ...

你就这样给学生介绍管子的转移特性曲线的，您这也太坑了吧！

只看该作者 · 2013-8-30 21:36

xukun977 发表于 2013-8-30 18:06
各位网友发言要注意了，我们***教授写作素材来源于论坛，而且网上怎么说地，他都会直接写进教学PPT ...

小七子，你以为大家都像你一样在网上不负责任来害人么？
你以为大家都会像你一样脑瓜简单囫囵吞枣吗？

只看该作者 · 2013-8-30 22:04

就你这瓢水，就你自己留着自己体验自己享用去吧。

3万 · 2013-8-30 22:32

cxx10wy 发表于 2013-8-30 21:26
103楼是管子的转移特性曲线，您这是输出特性曲线。你这歪楼的水平也真够逗人了。 ...

如果不能从输出特性曲线一眼看出转移特性曲线，这水平……
连从输出特性曲线看出转移特性曲线都不会，谈何用集电极或者漏极特性曲线族作图计算功率放大器？

只看该作者 · 2013-8-30 23:51

论坛里有没有学微电子出身的，翻本半导体物理给***算算PN结，虽然不知道具体咋算的，隐约记得有这么个事……

只看该作者 · 2013-8-31 06:53

china_sn0w 发表于 2013-8-30 23:51
论坛里有没有学微电子出身的，翻本半导体物理给***算算PN结，虽然不知道具体咋算的，隐约记得有这么个事 ...

论坛各方高手云集。
不是给某一个人算的，是算给大家排忧解难的。
还要注意，按照我们中国人的古话，做活一定要随主。因此，要算，就要按照maychang的许愿，用少子漂移与多子扩散平衡论来计算自由pn结Uho，以及正通pn结Uh

3万 · 2013-8-31 08:44

cxx10wy 发表于 2013-8-31 06:49
耗尽型DMOSFET与增强型EMOSFET，转移特性曲线不一样的，输出特性曲线却一样。
从输出特性曲线一眼看出转 ...

“耗尽型DMOSFET与增强型EMOSFET，转移特性曲线不一样的，输出特性曲线却一样。”
座标轴位置不一样而已，曲线平移一下就是了。连这么点事都看不出来？

输出特性曲线族是二元函数。二元函数要在平面上表达，函数值已经占用了一个座标轴，只能有一个座标轴表达一个自变量，另一个只能作为参变量。
把原来的参变量作为自变量，原来的自变量作为参变量，输出特性曲线族就成了转移特性曲线族。我在107楼贴的华中科大教材图4.1.6(b)已经足够说明。
可见华中科大教材***也没有看明白，何谈“应注意的二、三事”？
至于“用输出特性曲线计算放大器最大不失真摆幅”，先把自变量参变量和107楼华中科大教材图4.1.6(b)整明白再说吧。没有这些基础知识，没办法谈。
可怜的是长沙学院的学生。

只看该作者 · 2013-8-31 08:50

耗尽型DMOSFET与增强型EMOSFET，转移特性曲线只是大体走向相似，具体来说，斜率，曲率都不一样，的确不一样，平移怎么能得来呢？
JFET与EMOSFET，转移特性曲线更是不一样，平移怎么能得来呢？
无论如何怎么能这样糊弄学生呢！

只看该作者 · 2013-8-31 08:53

至于“用输出特性曲线计算放大器最大不失真摆幅”，是您maychang大佬自己许的愿：

墨迹未干，就忘记了。
既然自己许了愿，就赶快去还了这个愿，也好了了一桩心事，也好一天天睡觉能睡安稳。

3万 · 2013-8-31 08:54

china_sn0w 发表于 2013-8-30 23:51
论坛里有没有学微电子出身的，翻本半导体物理给***算算PN结，虽然不知道具体咋算的，隐约记得有这么个事 ...

应该看哪本教材已经告诉***了，网上有电子版，链接都贴出来了。例如下面这本

***基础知识不够，看不懂这本书，奈何？
我还没敢介绍黄昆的《半导体物理基础》，那本比较深。

3万 · 2013-8-31 08:58

cxx10wy 发表于 2013-8-31 08:53
至于“用输出特性曲线计算放大器最大不失真摆幅”，是您maychang大佬自己许的愿：
墨迹未干，就忘记了。
既 ...

先把如何从场效应管输出特性曲线族得到转移特性曲线族弄清楚再说吧。学会走再说跑。

只看该作者 · 2013-8-31 09:09

maychang 发表于 2013-8-31 08:54
应该看哪本教材已经告诉***了，网上有电子版，链接都贴出来了。例如下面这本

刘恩科先生这本《半导体物理学》,别人n年前就仔细研读过了。
***教授《模拟电子技术》书后的参考文献第6条，就是这本书！

只看该作者 · 2013-8-31 09:11

“如何从场效应管输出特性曲线族得到转移特性曲线族”，又是maychang大佬自己许的愿。
自己许的愿，就自己还去！

3万 · 2013-8-31 09:15

cxx10wy 发表于 2013-8-31 09:09
刘恩科先生这本《半导体物理学》,别人n年前就仔细研读过了。
***教授《模拟电子技术》书后的参考文献 ...

不错，是把书名列上去了。
书名列上去，就等于“仔细研读过了”？
什么逻辑！

前面还列出了五本英文书，前三本还是萧克利的，都“仔细研读过了”？

阅读华中科大《电子技术基础(模拟部分)》应注意的二、三事

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