阅读华中科大《电子技术基础(模拟部分)》应注意的二、三事

只看该作者 · 2013-8-31 09:35

1. 您去替别人写书算逑了。可是得署您自己的XX大名。
2. 你年轻时在内蒙古草原上混过来了，不懂外语，就以为别人也不懂外语。
3. 你多高，就以为别人与你一样高。拿你自己的尺子量别人，只有maychang能做得出来！

3万 · 2013-8-31 09:35

cxx10wy 发表于 2013-8-31 09:11
“如何从场效应管输出特性曲线族得到转移特性曲线族”，又是maychang大佬自己许的愿。
自己许的愿，就自己 ...

这有何难？
126楼我就说得很清楚了：“把原来的参变量作为自变量，原来的自变量作为参变量”，不就行了？
莫非***不懂“自变量”、“参变量”两个词？

还真要小心一点，***好像是想办这么一手

只看该作者 · 2013-8-31 09:37

maychang 发表于 2013-8-31 09:35
这有何难？
126楼我就说得很清楚了：“把原来的参变量作为自变量，原来的自变量作为参变量”，不就行了？ ...

不难，就是不愿意搭理你！

只看该作者 · 2013-8-31 09:40

至于你上载的那个图片，已经在119楼答复x7了，再给你贴上来
“小七子，你以为大家都像你一样在网上不负责任来害人么？
你以为大家都会像你一样脑瓜简单囫囵吞枣吗？”

只看该作者 · 2013-9-1 15:26

批驳xukun977在87楼所说“MOSFET管放大时，就是工作在饱和区”

管子已经跌在饱和区，都饱和了，吃饱了不动了，对输入都没有反应了，都翻白眼了，还能放大？白日说谎乎，指鹿为马乎，亦或颠倒乾坤乎！

看，985的博导教授，就是这样对付那些嗷嗷待哺的学生的！

2万 · 2013-9-1 16:26

自己弄错也就算了（毕竟人非圣贤），还全世界到处去宣传，说别人弄错了，有人笑话你不教授？？

只看该作者 · 2013-9-1 17:37

FET与BJT，是非常相似的两种控制器件，在个别场合，EMOSFET甚至能与BJT互换。
FET与BJT，区别仅仅在于输入信号，至于输出特性，几乎完全相同。
除了BJT是电流控制器件、FET是电压控制器件之外，两者的输出特性曲线族非常相似，曲线走向相同，甚至FET的输出电阻rds与BJT的输出电阻rce都在同一个数量级。
所以说，FET的输出特性曲线族的分区与BJT应当相同。
只可惜，高鼻子蓝眼睛的人把FET的输出特性曲线族的分区与BJT搞颠倒了，害了人，而x7是一个唯外国人的马首是瞻、唯外国的月亮是圆的主儿，于是他就死心塌地滴跟着执迷不悟！甚至不惜说出““MOSFET管放大时，就是工作在饱和区”的谎言来，还是大言不惭的！！！真是悲悲悲！

只看该作者 · 2013-9-1 17:38

可怜的是北京邮电大学的学子们！

只看该作者 · 2013-9-1 17:42

确实好笑——外行指责内行，自己不懂却说别人错标！
严格地说，如果要较点真，其三极管的饱和区都没真正地标对。呵呵。。。。。可悲，可悲，可悲！

只看该作者 · 2013-9-1 17:54

请看，吴运昌《模拟电子线路基础》早在一个世纪之前就已经纠正FET输出特性曲线族分区错误：

x7，你敢把吴运昌老先生也一起批判了吗？

说话发言不占理，继续顽固守旧，坑害学生，危害社会，最终只能被高歌猛进的时代所抛弃！

只看该作者 · 2013-9-1 18:23

请看，西安交大杨栓科《模拟电子技术基础》也已经纠正了蓝眼睛高鼻子的FET输出特性曲线族分区错误：

X7，你敢连西安交大杨栓科教授、华南理工吴运昌教授一起都批判了吗？

只看该作者 · 2013-9-1 19:22

没人将可变电阻区标为饱和区（且指示的区域也不对。就算是三极管其指示的区域也错）。只有***除外。

3万 · 2013-9-1 19:31

"x7是一个唯外国人的马首是瞻、唯外国的月亮是圆的主儿，于是他就死心塌地滴跟着执迷不悟！"

那怎么***还要在列参考书目时把外国人的书(**)列在前五位？这是不是“唯外国人的马首是瞻”？

我很怀疑***是否仔细阅读过萧克利这三篇文献，估计就是拉大旗作虎皮。

3万 · 2013-9-1 19:34

本帖最后由 maychang 于 2013-9-1 19:35 编辑

147楼图中英文说明最下面一栏，***看得懂吗？

只看该作者 · 2013-9-1 19:36

qzlbwang先生：其实FET输出特性曲线族中，最为关键的是放大区的标注。放大区标对了，剩下的那个靠近电压轴的小窄条区域，你愿意叫它可变电阻区也好，或者饱和区也好，其实又有什么本质区别呢？
这就好像截止区也叫做关断区、夹断区一样。

除了放大区以外，其他两区的名称根本不是关键。

3万 · 2013-9-1 19:41

cxx10wy 发表于 2013-9-1 17:37
FET与BJT，是非常相似的两种控制器件，在个别场合，EMOSFET甚至能与BJT互换。
FET与BJT，区别仅仅在于输入 ...

FET和五极电子管才是非常相似的器件。
懂电子管么？

只看该作者 · 2013-9-1 19:43

maychang 发表于 2013-9-1 19:31
"x7是一个唯外国人的马首是瞻、唯外国的月亮是圆的主儿，于是他就死心塌地滴跟着执迷不悟！"

那怎么*** ...

对待历史文献前人研究，***教授从来都是批判性地对待，那就是吸收精华抛弃糟粕。既不唯上，又不欺下。尤其不像某些人，戴着眼镜隔着门缝看人。

至于在《模拟电子技术》书后为什么把肖克来等人的著作列在前边，基本是按照发表时间先后顺序来考虑的。

3万 · 2013-9-1 19:44

cxx10wy 发表于 2013-9-1 17:54
请看，吴运昌《模拟电子线路基础》早在一个世纪之前就已经纠正FET输出特性曲线族分区错误：

x7，你敢把吴 ...

吴运昌这本书，错误的地方不止这一处。
可惜***抄都不知道从哪里抄。

只看该作者 · 2013-9-1 19:47

xukun977 发表于 2013-9-1 19:34
***，许多书上，即不叫“可变电阻区”，也不叫“线性区”，而叫“三极管区”--triode region.

你抓紧 ...

徐教授，除了放大区名称唯一之外，靠近电压轴的小窄条区域，你愿意叫它可变电阻区也好，或者饱和区也好，还有，截止区，你愿意叫它关断区、夹断区，正常思维的人，没有异议的。

不过，您愿意批判，就抓紧时间批判去吧！

只看该作者 · 2013-9-1 19:48

maychang 发表于 2013-9-1 19:41
FET和五极电子管才是非常相似的器件。
懂电子管么？

贪多嚼不烂，等你啥时候搞懂了BJT和FET，再去唠电子管吧。

阅读华中科大《电子技术基础(模拟部分)》应注意的二、三事

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