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专家回复:可以用于I/O 口信号隔离,避免瞬间电平变化,导致I/O口击穿
专家回复:By heatsinking. Both heatsink and PCB layout should be well considered for heatsinking capability.
专家回复: 可以到Vicor官网。有很多设计文档资源和视频资源参考。
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专家回复:MOSFET主要考虑耐压与工作电流,以及整机对于效率的要求来决定开关频率与Rdson等的参数选择,热阻可以作为散热器选型的参考
专家回复:模块对于均流与散热都更好,通过模块内部芯片的并联能有效提高产品性能
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专家回复:驱动电压直接决定其工作状态,不同驱动电压有对应的Rdson,规格书里面都有标注,建议电压不要太低
专家回复:功率器件的选型都差不多,看电压电流以及封装需求,MOSFET电流参数通常关注Rdson,直接影响其导通损耗。
专家回复:建议驱动电压在+18V,负压-3~-5V
专家回复:开发工具使用相对简单,有专门的使用手册。
专家回复:dsPIC33C的性价比很高。优势主要在PWM资源丰富,功能强大。ADC计算采样延时很小,芯片集成了丰富的数字和模拟外设。可以详询我们的FAE当面详细介绍。
专家回复: 中小功率的电源一般用分立器件,封装标准,体积小,成本也有优势;大功率的电源,如30KW以上,更多考虑功率模块,功率变大需要更多的分立器件并联,并联后器件均流和杂散参数较大都是技术难点,而且体积较大,可靠性也不好;功率模块集成度更高,可靠性,散热以及效率也会更好,另外模块还可以灵活的根据客户的不同拓扑集成不同的芯片进一个模块中,并进行一些订制化的产品。
专家回复:1.双核的内部有两个内核,其中一个内核可以做电源监控,另一个内核可以做电源控制,从核可以充分的使用CPU的计算带宽。这样可以实现比dsPIC33CK更高的开关频率。 2.两个内核之间通信速度比外部通信会更快速。
专家回复:1.高精度的PWM,250ps分辨率; 2.快速的ADC转换延时,285ns,早中断; 3.双核将电源通信及监控和电源环路控制分开,提升电源的控制带宽, 4.多组背景功能寄存器的使用,可以减小中断等待及恢复的时间; 5.高计算主频,100MIPS等
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