对于非孤立导体A，其电势不在简单地与所带电量成正比。这是因为非孤立导体周围的场强不仅决定于该导体，还与周围的情况有关。因此我们不能用原来的方法来引入电容的概念。为了消除其他导体和带电体的影响。我们可以利用静电屏蔽的原理，用导体空腔B把导体A屏蔽起来（如图中所示）。这样，腔内电场E仅由导体A所带电量q（正电荷）以及A和B内表面的形状决定，与外界情况无关。
如果我们探讨一下A、B的基本静电性质，将会发现，如果A的带电量增大一倍，则B的内表面的带电量也增大一倍，同时腔内任一点处的场强也增大一倍，因而A、B之间的电势差也增大一倍，即Va-Vb（A与B之间的电压）与q成正比。因此可以定义：
C=q/(Va-Vb)
C（电容量）仅决定于A、B的大小、形状以及相对位置，与q ，Va-Vb以及外界情况无关，因而可以用来描述导体组A、B的静电性质。我们把导体组A、B称作电容器，A、B为电容器的两个极板；C称为电容器的电容，它等于A的外表面或B的内表面所带电量的绝对值除以两极板之间的电势差。如果B接地，则Vb=0，因而Va-Vb=Va 。
——以上参考了《电磁场》![]() |
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